发明名称 一种二硼化镁超导体的制备方法
摘要 一种二硼化镁超导体的制备方法。其特征是利用强磁场来制备二硼化镁超导体。按化学计量比配制的镁粉和硼粉混合均匀后,经相应的工序得到块状样品或带状样品;然后将块状样品或带状样品分别置于具有Ar气氛的强磁场加热炉中,在磁场强度0-30特斯拉、温度600~950℃下保温1~3小时后,关闭磁场和热处理炉电源,使样品随热处理炉冷却至室温。本发明可有效改善晶粒的连接性,大大提高二硼化镁超导体的临界电流密度。
申请公布号 CN1683281A 申请公布日期 2005.10.19
申请号 CN200410009009.5 申请日期 2004.04.14
申请人 中国科学院电工研究所 发明人 马衍伟
分类号 C04B35/58;C04B35/622;// C04B 101∶00 主分类号 C04B35/58
代理机构 北京科迪生专利代理有限责任公司 代理人 关玲;刘秀娟
主权项 1、一种二硼化镁超导体的制备方法,其特征在于其工艺步骤依次如下:(1)按化学计量比(0.7-1)∶2配制的镁粉和硼粉充分混合均匀;(2)将混合后的镁粉和硼粉装入模具中,利用普通小型压片机压制成小片,得到块状样品;(3)或将混合后的镁粉和硼粉装入金属包套管中,经孔型轧制(或旋锻、拉拔等)得到线材,然后再经平辊轧制后,得到带状样品;(4)然后将块状样品或带状样品分别置于具有Ar气氛的具有超导强磁场的热处理炉[1]中的样品架[2]上;(5)开启强磁场装置[4]和热处理炉[1]的电源,样品[3]在磁场强度0-30特斯拉、温度600~950℃下保温1~3小时后,关闭磁场和热处理炉[1]电源,使样品[3]随热处理炉[1]冷却至室温,取出样品[3],从而制得二硼化镁超导体。
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