发明名称 |
一种二硼化镁超导体的制备方法 |
摘要 |
一种二硼化镁超导体的制备方法。其特征是利用强磁场来制备二硼化镁超导体。按化学计量比配制的镁粉和硼粉混合均匀后,经相应的工序得到块状样品或带状样品;然后将块状样品或带状样品分别置于具有Ar气氛的强磁场加热炉中,在磁场强度0-30特斯拉、温度600~950℃下保温1~3小时后,关闭磁场和热处理炉电源,使样品随热处理炉冷却至室温。本发明可有效改善晶粒的连接性,大大提高二硼化镁超导体的临界电流密度。 |
申请公布号 |
CN1683281A |
申请公布日期 |
2005.10.19 |
申请号 |
CN200410009009.5 |
申请日期 |
2004.04.14 |
申请人 |
中国科学院电工研究所 |
发明人 |
马衍伟 |
分类号 |
C04B35/58;C04B35/622;// C04B 101∶00 |
主分类号 |
C04B35/58 |
代理机构 |
北京科迪生专利代理有限责任公司 |
代理人 |
关玲;刘秀娟 |
主权项 |
1、一种二硼化镁超导体的制备方法,其特征在于其工艺步骤依次如下:(1)按化学计量比(0.7-1)∶2配制的镁粉和硼粉充分混合均匀;(2)将混合后的镁粉和硼粉装入模具中,利用普通小型压片机压制成小片,得到块状样品;(3)或将混合后的镁粉和硼粉装入金属包套管中,经孔型轧制(或旋锻、拉拔等)得到线材,然后再经平辊轧制后,得到带状样品;(4)然后将块状样品或带状样品分别置于具有Ar气氛的具有超导强磁场的热处理炉[1]中的样品架[2]上;(5)开启强磁场装置[4]和热处理炉[1]的电源,样品[3]在磁场强度0-30特斯拉、温度600~950℃下保温1~3小时后,关闭磁场和热处理炉[1]电源,使样品[3]随热处理炉[1]冷却至室温,取出样品[3],从而制得二硼化镁超导体。 |
地址 |
100080北京市海淀区中关村北二条6号 |