蚀刻方法

摘要

一种在处理容器内，以含Si有机类材料的上层膜(63)作为掩模，对基板的表面层(61)上所形成的有机类材料膜的下层膜(64)进行蚀刻的方法。向处理容器内供给包括NH₃气体和O₂气体的混合气体作为蚀刻气体，以该蚀刻气体的等离子体进行蚀刻。在供给蚀刻气体时，通过对O₂气体相对于NH₃气体的流量比进行调整，便可对蚀刻的CD偏差值进行控制。具体地说，使所说流量比为0.5～20％、特别是5～10％，可得到良好的CD偏差值。

主权项

1.一种蚀刻方法，在处理容器内，利用蚀刻气体的等离子体，以含Si有机类材料的上层膜作为掩模，对基板上所形成的有机类材料膜的下层膜进行蚀刻，其特征是，向所说处理容器内供给包括NH3气体和O2气体的混合气体作为所说蚀刻气体，并对O2气体相对于NH3气体的流量比进行调整，从而对蚀刻的临界尺寸偏差值进行控制。