| 摘要 |
本发明揭示一种用于形成绝缘体上矽之电晶体(80)的方法，该方法包括形成覆盖绝缘体(122)的主动区(82)，其中主动区的一部分可提供本质本体区(126)。在主动区中也会形成本体联结存取区(128)，以覆盖绝缘体及经横向配置邻接本质本体区，以和本质本体区进行电接触。闸电极(134)经形成可覆盖本质本体区，以提供本质本体区的电控制，闸电极系延伸于本体联结存取区的一部分(137)之上。闸电极被形成具有沿着其覆盖本质本体及本体联结存取区的整个宽度之实质上固定的闸极长度(88)，以减少寄生电容及闸电极泄漏。第一及第二电流电极(98、100)经形成邻接本质本体区的相对侧。此外，本体联结扩散部(130)系形成于该主动区内及横向偏离本体联结存取区及电耦合至本体联结存取区。 |
