| 摘要 |
本发明揭示一种自动对准源结构，其中一个P–体扩散区系透过一个成型窗口形成于一个n^–磊晶矽层置于一个n^＋矽基板之上的一个表面之内；一个P^＋扩散区系透过形成于一个氮化矽层之上的一个第一侧边墙介电垫层所包围之一个第一自动对准离子布植窗口来形成于该P–体扩散区的一个表面之内；一个n^＋源扩散环系透过形成于该氮化矽层及由该第一侧边墙介电垫层所包围的一个有机高分子层之间的一个第二自动对准离子布植窗口来形成于该P–体扩散区的一个部份表面且置于该P^＋扩散区的一个延伸部份的表面之上；以及一个自动对准源接触窗口系形成于由一个第二侧边墙介电垫层所包围之该n^＋源扩散环及由该n^＋源扩散环所包围之该P^＋扩散区之上。 |
