| 摘要 |
一沟渠金属–绝缘–半导体(MIS)装置于一半导体晶片中形成，其包括覆盖一N＋基板与一N磊晶层的P磊晶层。在一实施例中，该装置包含从该沟渠底部延伸至该N磊晶层的一汲极漂移区。该晶片的终止区包含在该晶片边缘处的半沟渠，以及从该半沟渠的底部延伸至该基板的N类型区。一绝缘层与一覆盖金属层，从该磊晶层的表面延伸至该半沟渠中。较佳地，该终止区的元件在与用来形成该装置的主动元件相同的方法中形成。在另一实施例中，该装置以每个终止沟渠中的多晶矽系被连接至邻接该终止沟渠的平顶的方式，由靠近该晶片边缘的复数多晶矽所填充的终止沟渠所终止。 |
