晶圆结构及其重布层之形成方法

摘要

本发明系关于一种晶圆结构中重布层之形成方法，包括：(a)提供一晶圆，该晶圆上具有复数个导体结构及一第一保护层，该第一保护层系覆盖该晶圆，且暴露出该等导体结构之一表面；(b)形成一第二保护层于该第一保护层之上；(c)选择性地移除部分该第二保护层，使其具有与预定线路相符之开槽，该开槽暴露出该等导体结构之一表面；(d)形成一重布层于该开槽中；及(e)形成一第三保护层于该第二保护层及该重布层之上。藉此，将重布层紧密地"嵌入"于该第二保护层中，避免重布层发生脱层之现象。