发明名称 半导体元件(四) SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 一例示具体例包括一半导体元件。该半导体元件可包括一通道,其包括一或多个包括锌–镓、镉–镓、镉–铟的金属氧化物。
申请公布号 TW200534369 申请公布日期 2005.10.16
申请号 TW094106257 申请日期 2005.03.02
申请人 惠普研发公司 发明人 贺夫曼 兰迪;赫曼;玛德洛维斯 彼得
分类号 H01L21/02 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 美国