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经营范围
发明名称
化合物半导体基板
摘要
提供能以微观粗糙度等级来改善磊晶层之表面状态的磊晶成长用基板。于磊晶成长用基板中,将向基板表面入射来自特定之光源的光线时所获得的散射光之强度,以来自前述光源之入射光强度除得之值定义为雾度时,则设雾度在整个基板的有效利用领域为2ppm以下,自面方位之偏角为0.05~0.10°。
申请公布号
TW200534385
申请公布日期
2005.10.16
申请号
TW094107007
申请日期
2005.03.08
申请人
日材料股份有限公司
发明人
铃木健二;平野立一;中村正志
分类号
H01L21/205
主分类号
H01L21/205
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
日本
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