| 摘要 |
本发明之课题提供一种半导体装置之制造方法，其即使于比较低温之热处理中，亦可实现源极范围和汲极范围之杂质活性化，而可得到高性能之薄膜电晶体。本发明之解决手段包含于基板(11)上，形成半导体膜结晶化时做为起点之复数之起点部(125)的起点部形成工程；和于形成有起点部之基板上，形成半导体膜的半导体膜形成工程；和对半导体膜进行热处理，形成分别以复数之起点部(125)为约略中心之复数之略单结晶粒的热处理工程；和将半导体膜图案化，形成电晶体范围(133)的图案化工程；和于电晶体范围上形成闸极绝缘膜(14)及闸极电极(15)，来形成薄膜电晶体之元件形成工程；使图案化工程中之源极范围及汲极范围(133)，包含有略单结晶粒地，形成起点部(125)。 |
