位于矽基材表面之微结构以及其制程

摘要

本案微结构与其制程，系以(100)矽材料为基础，藉由一种形成于该(100)矽材料之抗蚀刻屏障，结合湿式的非等向性化学蚀刻(anisotropic wet chemical etching)以及乾式的深活性离子蚀刻(Deep Reactive Ion Etching,以下简称DRIE)来形成微结构(大小以毫米、微米计量之结构)。由于运用了各技术方案之优点，同时免于各技术方案之诸缺点，本案提供各式各样不同形状且未见于知方案的微结构，尤其是利用同一片矽基材形成各式各样未见于知方案的微结构。