非挥发性记忆体结构及其制造方法

摘要

一种非挥发性记忆体结构，其是由基底、多数个闸极结构、多数个选择闸极结构、间隙壁与源极区／汲极区所构成。其中，各个闸极结构由基底起至少是由底介电层、电荷陷入层、顶介电层、控制闸极与顶盖层所构成。多数个选择闸极结构分别设置于多数个闸极结构之一侧，并使多数个闸极结构串联在一起，形成记忆胞列，各个选择闸极结构由基底起至少是由选择闸极介电层与选择闸极所构成。间隙壁设置于闸极结构与选择闸极之间。源极区／汲极区分别设置于记忆胞列两侧的基底中。