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发明名称
监控化学气相沉积前腔体洁净度的方法
摘要
本发明系揭露一种监控化学气相沉积前腔体洁净度的方法,其系利用一种会因为腔体洁净度而导致消光系数值产生变化的材质如氮氧化矽来作为一监控层,藉由经过两次不同时间长度之清洗制程后所沉积氮氧化矽层进行消光系数值量测,观察两氮氧化矽层的消光系数值的差异,来对腔体洁净度进行监控。
申请公布号
TW200534403
申请公布日期
2005.10.16
申请号
TW093109900
申请日期
2004.04.09
申请人
上海宏力半导体制造有限公司 GRACE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CORPORATION 中国
发明人
张炳一;王雷
分类号
H01L21/36
主分类号
H01L21/36
代理机构
代理人
林火泉
主权项
地址
中国
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