监测离子植入状态之晶片重复再使用的方法

摘要

本发明系揭露一种监测离子植入状态之晶片重复再使用的方法，其系利用一快速回火制程，来修复离子植入制程对晶片所造的损伤，使用来监控离子植入状态之控片或档片能够重复再使用，进而降低制程上成本的花费与资源上的浪费。