| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung schafft einen Grabenkondensator, insbesondere zur Verwendung in einer Halbleiter-Speicherzelle, mit einem Graben (5), der in einem Halbleitersubstrat (1) gebildet ist; einem Isolationskragen (3) im oberen Bereich des Grabens (4); einer im Graben (5) oder im Halbleitersubstrat (1) befindlichen ersten leitenden Kondensatorelektrode (1a); einer im Graben (5) befindlichen leitenden zweiten Kondensatorelektrode (10, 25, 30), einen unteren nicht-metallischen Teil (10) und einen oberen metallischen Teil (30) aufweist, wobei sich der obere metallische Teil (30) bis in den Bereich zwischen dem Isolationskragen (3) erstreckt; einer zwischen der ersten und zweiten Kondensatorelektrode (1a; 10, 25, 30) befindlichen dielektrischen Schicht (4) als Kondensatordielektrikum. Zwischen dem unteren nicht-metallischen Teil (10) und dem oberen metallischen Teil (30) befindet sich ein Teil (25) aus einem Metallsilizid. Die Erfindung schafft ebenfalls ein entsprechendes Herstellungsverfahren.
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