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发明名称 VERTICAL CHANNEL FIN FET HAVING A DAMASCENE GATE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
摘要
申请公布号 KR20050099330(A) 申请公布日期 2005.10.13
申请号 KR20040024601 申请日期 2004.04.09
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 OH, CHANG WOO;PARK, DONG GUN;KIM, DONG WON
分类号 H01L21/336;(IPC1-7):H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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