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Die vorliegende Erfindung stellt eine wässrige Zusammensetzung zur Verfügung, die zum Polieren von Siliciumdioxid und Siliciumnitrid auf einem Halbleiterwafer geeignet ist und 0,01 bis 5 Gew.-% zwitterionische Verbindung, 0,01 bis 5 Gew.-% Carbonsäurepolymer, 0,02 bis 6 Gew.-% Schleifmittel, 0 bis 5 Gew.-% kationische Verbindung und zum Rest Wasser umfasst, wobei die zwitterionische Verbindung die folgende Struktur besitzt: DOLLAR F1 worin n eine ganze Zahl ist, Y Wasserstoff oder eine Alkylgruppe umfasst, Z Carboxyl, Sulfat oder Sauerstoff umfasst, M Stickstoff, Phosphor oder ein Schwefelatom umfasst und X¶1¶, X¶2¶ und X¶3¶ unabhängig Substituenten umfassen, die aus der Gruppe, umfassend Wasserstoff, eine Alkylgruppe und eine Arylgruppe, ausgewählt sind.
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