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发明名称 ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURE FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH NIO AS A GATE INSULATOR
摘要
申请公布号 KR20050099395(A) 申请公布日期 2005.10.13
申请号 KR20040024689 申请日期 2004.04.10
申请人 OH, CHANG SEOK 发明人 OH, CHANG SEOK
分类号 H01L29/737;(IPC1-7):H01L29/737 主分类号 H01L29/737
代理机构 代理人
主权项
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