| 发明名称 | 利用超临界流体制造微电子器件的方法 | ||
| 摘要 | 公开了制造具有改进性能特征的微电子器件的方法，其特征在于利用超临界流体进行材料去除步骤。在一个示例性实施方案中，该方法包括制备衬底，形成覆盖至少一部分衬底的HSQ层，以及随后利用超临界流体CO<SUB>2</SUB>去除至少部分HSQ层。 | ||
| 申请公布号 | CN1681080A | 申请公布日期 | 2005.10.12 |
| 申请号 | CN200510056565.2 | 申请日期 | 2005.01.14 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 韩相哲;吴晙奂 |
| 分类号 | H01L21/00;H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 宋莉;贾静环 |
| 主权项 | 1.一种制造微电子器件的方法，包括下列顺序步骤：制备衬底；形成覆盖至少一部分衬底的HSQ层；以及利用超临界流体CO2去除HSQ层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||