| 发明名称 | 助熔的底层填料组合物 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于助熔金属表面的助熔的底层填料组合物的制备，用于提供电连接和熔封半导体器件[如芯片尺寸或芯片刻度组件(CSP)、球栅阵列接脚(BGA)、焊盘阵列接脚(LGA)、倒装片式组件(FC)等，其中上述各种均具有半导体芯片如大规模集成(LSI)]间的空间或熔封半导体芯片本身和分别与器件或芯片电连接的电路板间的空间。本发明的助熔的底层填料组合物在与所使用的焊剂接近相同的温度下开始固化，从而确定电连接熔体。 | ||
| 申请公布号 | CN1222392C | 申请公布日期 | 2005.10.12 |
| 申请号 | CN01807139.2 | 申请日期 | 2001.12.13 |
| 申请人 | 亨凯尔公司 | 发明人 | M·M·康纳斯基;J·P·克鲁格 |
| 分类号 | B23K35/36;H01L21/56;H01L23/29 | 主分类号 | B23K35/36 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 陈季壮 |
| 主权项 | 1.一种助熔的底层填料组合物，其中包括：(a)一种环氧树脂组分；(b)一种酸性助熔剂组分；(c)一种酸酐组分；和(d)一种潜伏固化剂组分；该潜伏固化剂组分包括部分酸性助熔剂与含氮化合物的盐的配合物。 | ||
| 地址 | 美国康涅狄格州 | ||