| 发明名称 | 信息记录介质及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的一种信息记录介质包括一个基底以及排列于基底上的信息层。该信息层包括记录层，该记录层至少使用从光学装置和电装置中选择的一种在晶相和非晶相间可逆相变，和至少一个晶体成核层，该晶体成核层至少包含从Bi和Te中选择的一种元素以及从Sc，Y，La，Ce，Pr，Nd，Sm，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Yb和Lu中选择的一种元素(M1)，而且将该晶体成核层设置为与记录层相接触。 | ||
| 申请公布号 | CN1682297A | 申请公布日期 | 2005.10.12 |
| 申请号 | CN03821723.6 | 申请日期 | 2003.09.12 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 西原孝史;儿岛理惠;山田升;坂口武 |
| 分类号 | G11B7/24;G11B7/26 | 主分类号 | G11B7/24 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 1.一种信息记录介质，包括基底以及设置在该基底上的信息层，该信息层包括：记录层，至少可以通过光学方式和电方式中的一种使该记录层在晶相和非晶相间发生可逆相变；以及至少一个晶体成核层，该晶体成核层至少包括从Bi和Te中选择的一种元素，和至少从Sc，Y，La，Ce，Pr，Nd，Sm，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Yb和Lu中选择的一种元素(M1)，而且该晶体成核层被设置为与该记录层相接触。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||