发明名称 坩埚升降法补充熔料生长晶体的装置和方法
摘要 本发明涉及一种坩埚升降法补充熔料生长晶体的装置和方法,属于晶体生长领域。本发明生长装置中,生长坩埚10与原料补给坩埚8相连通,补给坩埚可套在生长坩埚的外部。生长坩埚的顶部或补给坩埚的底部连接坩埚升降机构3。提拉旋转系统包括提拉旋转机构2、籽晶杆11。加热控温机构4与加热元件7相连构成加热控温系统,用以控制坩埚的温度。称量装置1与提拉旋转机构2和坩埚升降机构3相连接,根据提拉所得的晶体重量控制生长坩埚或补给坩埚的升降,将原料补给坩埚中的熔体补入生长坩埚。采用本发明的生长装置和方法获得的单晶成分均匀性高、成分可调整、光学均匀性好、尺寸大,本发明的生长设备简单、成本低。
申请公布号 CN1680635A 申请公布日期 2005.10.12
申请号 CN200410089075.8 申请日期 2004.12.03
申请人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明人 郑燕青;陆治平;施尔畏;王绍华;崔素贤
分类号 C30B15/00;C30B29/30 主分类号 C30B15/00
代理机构 代理人
主权项 1、坩埚升降法补充熔料生长晶体的装置,包括提拉旋转系统(2、11)、加热控温系统(4、7)和称重系统(1),其特征在于装置组成还包括坩埚升降机构3和多坩埚系统(8、10);所述的坩埚升降机构与称量系统相连;所述的多坩埚系统包括相互连通的一个生长坩埚(10)和一个或多个补给坩埚(8)。
地址 200050上海市定西路1295号