| 发明名称 | 用于双层光刻的低硅排气抗蚀剂 | ||
| 摘要 | 具有低硅排气和高分辨率光刻性能的含硅抗蚀组合物，特别可在使用193nm或更短波长成像辐射的双层或多层光刻应用中，可通过存在具有含硅的酸稳定侧基的成像聚合物而成为可能。本发明的抗蚀组合物优选还在于基本上没有含硅的酸不稳定部分。 | ||
| 申请公布号 | CN1682156A | 申请公布日期 | 2005.10.12 |
| 申请号 | CN03821613.2 | 申请日期 | 2003.09.11 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 马莫德·M·科贾斯特;拉尼·W·况;陈光军;普什卡拉·R·瓦拉纳西;罗伯特·D·艾伦;菲利普·布罗克;弗朗西斯·霍尔;拉特纳姆·索里亚库马兰 |
| 分类号 | G03F7/38 | 主分类号 | G03F7/38 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 范明娥;巫肖南 |
| 主权项 | 1.一种含硅抗蚀组合物，所述的组合物由(a)一种酸敏感成像聚合物，和(b)一种辐射敏感的酸发生剂组成，其中所述酸敏感成像聚合物包含含硅的酸稳定侧基。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||