MOS器件及其制造方法

摘要

描述了一种具有本体区的SOI MOSFET，该本体区位于源区和漏区之间并将源区和漏区分开。掩埋金属路径被直接置于该本体区之下并与栅极形成对准。掩埋金属与本体区接触但不与源区和漏区接触。该结构包括直接位于器件下方的金属互连，其中一个或多个金属互连层从器件的下方经过掩埋的金属氧化物层与硅绝缘体接触。在这种方法中，源区/漏区扩散区的低部及本体区可以耦合在一起。特别是，与传统的体接触相比，此处的体接触在器件宽度方向上具有相当低的电阻。

主权项

1.一个具有源区、漏区和栅极的SOI MOS器件，该SOI MOS器件包括：一个位于上述源区和漏区之间并将该源区和漏区隔开的本体区；和一个被直接置于上述本体区之下并与上述栅极形成对准的掩埋金属路径；该掩埋金属与上述本体区接触时不能碰到上述的源区或漏区。