发明名称 用于等离子体显示器的电介质/间隔壁复合物及其制造方法
摘要 本发明提供了一种用于等离子体显示器的电介质/间隔壁复合物,其包括下述通式的化合物1或者属于以R<SUP>6</SUP>SiO<SUB>1.5</SUB>作为重复单元的多面寡硅倍半氧烷的至少一种化合物(化合物2),或以化合物1和2为单体的无机/有机混杂材料(“无机/有机混杂材料”是指一种由扩展的矩阵构成的材料,该矩阵包括硅和氧或氮原子而且至少一个硅片段直接连接在取代的或非取代的烃原子上)如式Ⅰ其中X为包括0在内的整数,R<SUP>1</SUP>、R<SUP>2</SUP>、R<SUP>3</SUP>、R<SUP>4</SUP>、R<SUP>5</SUP>和R<SUP>6</SUP>分别为直链的、支链的或环状的C<SUB>1</SUB>-C<SUB>12</SUB>烃基,其包括一个或多个下述基团:烷基、烷氧基、酮基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、烯丙基、芳香基、卤素、氨基、巯基、醚基、酯基、砜基、硝基、羟基、环丁烯基、羰基、羧基、醇酸基、氨基甲酸乙酯基、乙烯基、腈基、氢基或环氧基官能团,A为O或NH。
申请公布号 CN1680207A 申请公布日期 2005.10.12
申请号 CN200510056725.3 申请日期 2005.03.24
申请人 韩国科学技术院 发明人 裴秉水;鱼英柱;李泰浩;金正焕
分类号 C03C17/30;C03C17/42 主分类号 C03C17/30
代理机构 北京邦信阳专利商标代理有限公司 代理人 黄泽雄;张小英
主权项 1.一种用于等离子体显示器的电介质/间隔壁复合物,其包括下述通式的化合物1或者属于以R<sup>6</sup>SiO<sub>1.5</sub>作为重复单元的多面寡硅倍半氧烷的至少一种化合物(化合物2),或者包括以化合物1和2为单体的无机/有机混杂材料:<img file="A2005100567250002C1.GIF" wi="836" he="499" />其中X为包括0在内的整数,R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>、R<sup>5</sup>和R<sup>6</sup>各自为直链的、支链的或环状的C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>烃基,其包括一个或多个烷基、酮基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、烯丙基、烷氧基、芳香基、卤素、氨基、巯基、醚基、酯基、砜基、硝基、羟基、环丁烯基、羰基、羧基、醇酸基、氨基甲酸乙酯基、乙烯基、腈基、氢基或环氧基官能团,A为O或NH。
地址 韩国大田広域市