| 发明名称 | 源极侧硼注入的非易失存储器 | ||
| 摘要 | 本发明的一个方面是有关于一种制造闪速存储单元(32)的方法，该方法包括下列步骤：提供一个在其上有闪速存储单元(32)的基底(30)；在该基底(30)上形成一个自动对齐源极掩膜(48)，该自动对齐源极掩膜(48)会根据源极线而有相对应的开口(50)；穿过自动对齐源极掩膜(48)中根据源极线而有的相对应的开口(50)，在基底(30)内注入第一类的源极杂质(52)；从基底(30)上移除该自动对齐源极掩膜(48)；清洗基底(30)；以及注入第二类中等剂量漏极注入离子，以在毗邻闪速存储单元(32)的基底(30)内，形成一个源极区域(54)和一个漏极区域(56)。 | ||
| 申请公布号 | CN1222987C | 申请公布日期 | 2005.10.12 |
| 申请号 | CN01817852.9 | 申请日期 | 2001.08.06 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | 何月松;S·哈达;T·什盖特;张稷 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L29/788;H01L29/792 | 主分类号 | H01L21/336 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1.一种制造闪速存储单元的方法，该方法包括：提供一个在其上有闪速存储单元(32)的基底(30)，其中所述单元具有的栅极长度为0.18μm或更少；在所述基底(30)上形成一个自动对齐源极掩膜(48)，该掩膜(48)具有一个开口(50)，该开口(50)使基底中毗邻于所述单元的一个区域暴光，该区域中将形成源极线；穿过所述掩膜(48)中的开口(50)，在基底(30)内注入第一类的源极杂质以形成源极侧注入离子(52)；从所述基底(30)上移除所述掩膜；清洗基底(30)；在注入源极杂质之后，通过在含有氧气的气氛中，在从400℃到1200℃温度下加热所述基底，实施一个先期注入的氧化步骤以形成一个氧化层；在基底(30)中注入第二类漏极注入离子以形成毗邻于闪速存储单元(32)相反两侧上的源极区域(54)和漏极区域(56)；其特征在于源极区域(54)在源极侧注入离子(52)之下形成。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||