改善基底阶梯高度的方法

摘要

本发明涉及改善基底阶梯高度(step height)的方法，适用于高低压组件区的制程，该方法包含：提供一基底，用一电性隔离结构区隔出一低电压组件区与一高电压组件区；之后形成一厚度不小于500的氮化硅层作为硬罩幕，于上述暴露的高电压组件区和电性隔离结构上形成第一氧化物层；移除上述氮化硅层；并于上述低电压组件区形成厚度小于上述第一氧化物层的第二氧化物层；上述基底的阶梯高度降低至400～500，且第一氧化物层的厚度以远离低电压组件区的方向递增至一既定值后，即大体维持上述既定值，使上述基底的高度变化较和缓。

主权项

1、一种在高低压组件区制程中改善基底阶梯高度的方法，其中包含：提供一基底，该基底具有以电性隔离结构区隔出的一低电压组件区与一高电压组件区；形成一厚度不小于500的氧化屏蔽覆盖于该低压组件区与部分该电性隔离结构；以该氧化屏蔽为屏蔽，于暴露的该高电压组件区与该电性隔离结构上形成第一氧化物层；移除该氧化屏蔽；于该低电压组件区上形成第二氧化物层，该第二氧化物层的厚度小于该第一氧化物层的厚度。