| 发明名称 | 晶片涂敷和单切方法 | ||
| 摘要 | 首先在晶片的活性表面侧进行划片(22)形成沟槽(38)，该沟槽最终界定单个集成电路芯片边缘(39)，划片仅达到晶片的部分深度。然后用底填料(40)涂敷(24)晶片的正面(36)。晶片的背面经精磨、研磨、抛光或其他处理(26)去除晶片材料直至与划切后的沟槽平齐。然后切断在涂敷步骤中沉积在沟槽中的底填料(92)以分切晶片(28)，这样集成电路芯片(12)就从晶片脱离。 | ||
| 申请公布号 | CN1682363A | 申请公布日期 | 2005.10.12 |
| 申请号 | CN03821452.0 | 申请日期 | 2003.09.05 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 齐晶;詹尼斯·丹维尔;托马斯·克罗索维克 |
| 分类号 | H01L21/44;H01L21/46 | 主分类号 | H01L21/44 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1、一种在集成电路芯片上提供底填料和从晶片分切芯片的方法，依次包括以下步骤：a.提供一具有正面和背面的晶片，该晶片包含至少一个集成电路芯片，该集成电路芯片包含位于所述晶片正面的多个焊接凸点；b.切割所述晶片的正面，形成沟槽，该沟槽界定所述至少一个集成电路芯片的边缘，切割达到未完全切透晶片的深度；c.用底填料涂敷所述晶片的正面；d.精磨晶片的背面，充分减薄晶片的厚度，使得沟槽从所述正面延伸至所述后面；以及e.其中涂敷于晶片正面的底填料固定在集成电路芯片上。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||