半导体装置及其制造方法

摘要

在半导体衬底的第1主面上形成了多个槽(5a)，在槽(5a)间被夹住的区域内形成了p型扩散区(2)和n型扩散区(3)，以便沿槽的深度方向构成pn结。p型扩散区(2)具有从一方的槽(5a)的侧壁面扩散了p型杂质的杂质浓度分布，n型扩散区(3)具有从另一方的槽(5a)的侧壁面扩散了n型杂质的杂质浓度分布。在p型扩散区(2)和n型扩散区(3)的第2主面一侧形成了n⁺高浓度衬底区(1)。槽5a的从第1主面算起的深度Td比p型和n型扩散区(2、3)的从第1主面算起的深度Nd深了p型扩散区(2)内的p型杂质或n型扩散区(3)内的n型杂质的制造时的扩散长度L以上。由此，可得到高耐压、低导通电阻的半导体装置。

主权项

1.一种半导体装置，该半导体装置具有将一个第1导电型杂质区、一个第2导电性杂质区和一个槽反复设置的结构，其特征在于：具备：第1导电型的半导体衬底，具有互相相对的第1和第2主面，而且具有设置在上述第1主面上的多个槽，其中所述半导体衬底的第2主面侧具有第1导电型高浓度区域，而所述槽从上述第1主面延伸到位于上述第1导电性高浓度区域中的第1深度位置；第1导电型的第1杂质区，在被多个上述槽中的邻近的两个槽夹住的上述半导体衬底的台面区域内的上述一个槽的侧壁面上形成，具有从上述一个槽的侧壁面开始扩散了第1导电型的杂质的杂质浓度分布，而且具有比上述半导体衬底的第1导电型高浓度区域的杂质浓度低的杂质浓度；以及第2导电型的第2杂质区，在被上述邻近的两个槽夹住的上述半导体衬底的台面区域内的上述另一个槽的侧壁面上形成，具有从上述另一个槽的侧壁面开始扩散了第2导电型的杂质的杂质浓度分布，而且与上述第1杂质区形成pn结，所述第2杂质区与第1杂质区所形成的上述pn结与上述第1主面垂直；上述邻近的两个槽分别具有从上述第1主面延伸到位于上述第一导电型高浓度区域中的第1深度位置处的第一延伸部，同时槽侧壁面相对于上述第1主面维持预定的斜率，上述第1和第2杂质区均比上述第一预定深度位置浅，从上述第1主面开始测量，浅了在半导体装置制造时第1和第2导电型杂质扩散的长度以上。