发射辐射的半导体器件,其制造方法及发射辐射的光学器件

摘要

发射辐射的半导体器件具有包括发射辐射的有源层(10)的多层结构(100)、具有用于向多层结构(100)中注入电流的电学接触(30，40)，以及具有可透过辐射的窗口层(20)。该窗口层只安置在多层结构(100)的避开半导体器件主发射方向的一侧，并且具有至少一个侧壁，该侧壁包括一个向垂直于多层序列的半导体本体的中轴方向呈倾斜，凹入或分级式地伸展的第一侧壁部分(20a)。从多层结构看，该侧壁部分在进一步向背面方向伸展时转变成垂直于多层结构的，就是说平行于中轴伸展的第二侧壁部分(20b)，并且窗口层(20)的包括第二侧壁部分(20b)的部分构成半导体器件的装配底座。第一和第二侧壁部分特别优先用具有造型边缘的锯片制造。在一个优选的光学器件中该半导体器件用窗口层向下被安装在一个反射器盆内。

主权项

1.一种发射辐射的半导体器件，具有-含有发射辐射的有源层(10)的多层结构(100)，-向多层结构(100)内注入电流的电学接触(30，40)，以及-可透过辐射的窗口层(20)，该窗口层-只安置在多层结构(100)的避开半导体器件主发射方向的一侧，-具有至少一个侧壁，该侧壁包括一个向垂直于多层序列的半导体本体的中轴方向呈倾斜、凹入或分级式地伸展的第一侧壁部分(20a)，从多层结构看该侧壁部分在进一步向背面方向伸展时转变成垂直于多层结构的，就是说平行于中轴伸展的第二侧壁部分(20b)，以及-窗口层(20)的包括第二侧壁部分(20b)的部分构成半导体器件的装配底座，其中，由所述有源层产生的辐射的至少一部分穿过所述窗口层，并且通过所述侧壁的第一侧壁部分(20a)向外耦合。