应用远紫外区辐射源和在该区具有宽光谱带的多层镜的光刻设备

摘要

光刻设备使用远紫外区辐射源和多层镜在该区域中具有宽的频谱频带。每一镜(24，26，29)包含第一材料层和第一材料层交替的第二材料层的叠层，第一材料具有原子序数大于第二材料，一对相邻层的厚度是叠层内的深度的单调函数，源(22)包含至少一个靶(28)，该靶通过与在其面之一上聚焦的激光束彼此作用发射辐射，利用从另一面发射的辐射部分(36)。本发明可用于具有高集成度的集成电路的制造。

主权项

1.光刻设备，包含：—规定用于按照预定图形曝光的样品架(16)，—包含以放大形式的预定图形的掩模(24)，—在远紫外区的辐射源(22)，—用于对辐射聚光并输送到掩模的光学装置(26)，该掩模提供以放大形式的图形的像，和—用于缩小该像并把缩小的像投射到样品上的光学装置(29)，掩模，用于聚焦和输送的光学装置和用于缩小和投射的光学装置包含多层镜，每一多层镜包含一衬底(74)并在衬底上第一材料层(76)和与第一材料层交替相间的第二材料层(78)的叠层，该第一材料具有原子序数大于第二材料，第一和第二层协同反射远紫外辐射，叠层具有应被反射的辐射到达其上的自由表面(80)，设备的特征为，源包含至少一个具有第一和第二面的固体靶(28)，该靶通过与聚焦在靶第一面(30)上的激光束(34)的彼此作用能发射远紫外辐射，该靶能以各向异性方式从该靶的第二面(37)发射远紫外辐射部分(36)；提供用于聚焦和输送的光学装置(26)，以便输送到掩模(24)，远紫外辐射部分(36)来自源的靶的第二面(37)；在每一镜包含的层的叠层中一对相邻层(76，78)的厚度是叠层内深度的单调函数，该深度从叠层的自由面(80)开始计算。