| 发明名称 | PTC器件与金属引线元件的连接结构体的制造方法及在该制造方法中使用的PTC器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能够避免在铆接、钎焊的连接法中存在的问题的聚合物PTC器件与金属引线元件之间的新的电连接法。因此，本发明是一种使用激光焊接，制造具有(A)(i)具有在层状聚合物PTC元件(12)及(ii)配置在层状聚合物PTC元件(12)的主表面上的金属箔电极(14)的PTC器件(10)，以及(B)与金属箔电极电连接的金属引线元件(20)而成的连接结构体的方法，提供一种其金属箔电极(14)至少由2个金属层形成，在最远离层状聚合物PTC元件(12)处的金属箔电极的金属层(第一层：激光吸收率(b％)(18)与层状聚合物PTC元件(12)之间，存在在金属箔电极(14)的金属层中激光吸收率最小的金属层(第X层：激光吸收率(a％)、b＞a)(16)的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1682324A | 申请公布日期 | 2005.10.12 |
| 申请号 | CN03821242.0 | 申请日期 | 2003.09.03 |
| 申请人 | 泰科电子雷伊化学株式会社 | 发明人 | 中川敦;田中新;饭村干夫 |
| 分类号 | H01C7/02 | 主分类号 | H01C7/02 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 浦柏明;刘宗杰 |
| 主权项 | 1.一种连接体结构的制造方法，这是通过激光焊接将金属箔电极与金属引线元件进行电连接，以制造具有(A)具有(i)层状聚合物PTC元件及(ii)配置在层状聚合物PTC元件的主表面上的金属箔电极而成的PTC器件，以及(B)与金属箔电极电连接的金属引线元件而成的连接结构体的方法，其特征在于：金属箔电极至少由2个金属层形成，在最远离层状聚合物PTC元件处的金属箔电极的金属层(第一层：激光吸收率(b％))与层状聚合物PTC元件之间，存在在金属箔电极的金属层中激光吸收率最小的金属层(第X层：激光吸收率(a％)、b＞a)。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||