具有接触电容器电极的插塞的半导体存储器及其制备方法

摘要

本发明提供一种半导体存储器和一种可以防止电容器的介电层与扩散阻挡层接触的方法。与电容器电极接触的插塞包括扩散阻挡层和导电层。导电层是用一种无论导电层是否氧化均能传导电流的材料制成。因此，这可以防止介电层与扩散阻挡层接触，因而漏电流可以减小，且电容器的电容可以增加。

主权项

1.一种半导体存储器，包括：一个半导体基板；一个形成于半导体基板上的栅电极；形成于半导体基板中的源结/漏结；一个形成于半导体基板上的层间绝缘层；一个形成于层间绝缘层中的插塞，其中插塞包括扩散阻挡层和导电层，并且其中导电层是用一种当导电层被氧化时均能传导电流的材料制成；一个与导电层接触的电容器底电极；一个形成于底电极上的介电层；以及一个形成于介电层上的上电极。