| 发明名称 | 带有锥形增益区的脊型波导高功率半导体激光器结构 | ||
| 摘要 | 一种带有锥形增益区的脊型波导高功率半导体激光器结构，其中包括：一衬底；一铝镓砷层，该铝镓砷层制作在衬底上；一铝镓铟砷有源层，该铝镓铟砷铝镓铟砷有源层制作在铝镓砷上；一铝铟砷层，该铝铟砷铝铟砷层制作在铝镓铟砷有源层上；一铟磷层，该铟磷层制作在铝铟砷层上，该铟磷层的面积小于铝铟砷层的面积；一铟镓砷层，该铟镓砷层制作在铟磷层上；该铟磷层和铟镓砷层形成一脊型区域；一层介质膜，该层介质膜制作在脊型区域的两侧及铝铟砷层上；一层P面电极，该P面电极制作在脊型区域的上面及介质膜上；一N面电极，该N面电极制作在衬底的下面。 | ||
| 申请公布号 | CN1681176A | 申请公布日期 | 2005.10.12 |
| 申请号 | CN200410032559.9 | 申请日期 | 2004.04.09 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 张洪波;韦欣;朱晓鹏;王国宏;马骁宇 |
| 分类号 | H01S5/22;H01S5/30 | 主分类号 | H01S5/22 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种带有锥形增益区的脊型波导高功率半导体激光器结构，其特征在于，其中包括：一衬底；一铝镓砷层，该铝镓砷层制作在衬底上；一铝镓铟砷有源层，该铝镓铟砷铝镓铟砷有源层制作在铝镓砷上；一铝铟砷层，该铝铟砷铝铟砷层制作在铝镓铟砷有源层上；一铟磷层，该铟磷层制作在铝铟砷层上，该铟磷层的面积小于铝铟砷层的面积；一铟镓砷层，该铟镓砷层制作在铟磷层上；该铟磷层和铟镓砷层形成一脊型区域；一层介质膜，该层介质膜制作在脊型区域的两侧及铝铟砷层上；一层P面电极，该P面电极制作在脊型区域的上面及介质膜上；一N面电极，该N面电极制作在衬底的下面。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||