发明名称 |
半反射半穿透液晶显示器 |
摘要 |
一种半反射半穿透液晶显示器,其画素区域内包含有一薄膜晶体管(TFT)元件、一穿透电极层以及一反射电极层,其中该反射电极层以及该穿透电极层的重迭区域成为一反射区域,且未被该反射电层覆盖的该穿透电极层成为一穿透区域。而且,该穿透电极层、薄膜晶体管(TFT)元件的源极扩散区以及漏极扩散区系由同一硅层所构成。 |
申请公布号 |
CN1680848A |
申请公布日期 |
2005.10.12 |
申请号 |
CN200410031117.2 |
申请日期 |
2004.04.06 |
申请人 |
统宝光电股份有限公司 |
发明人 |
温志坚;丁岱良;林国隆;何玄政;吴逸蔚 |
分类号 |
G02F1/1333;G02F1/136;H01L29/786 |
主分类号 |
G02F1/1333 |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 |
代理人 |
郭润湘 |
主权项 |
1.一种半反射半穿透液晶显示器,其特征在于包括:一下玻璃基板以及一上玻璃基板;一液晶层;多条扫描电极线以及多条数据电极线,形成于该下玻璃基板上,且交叉构成多个画素区域;一薄膜晶体管元件,形成于该下玻璃基板的画素区域内,且包含有一栅极层、一源极扩散区以及一漏极扩散区;一穿透电极层,形成于该下玻璃基板的画素区域内;以及一反射电极层,形成于该下玻璃基板的画素区域内的该穿透电极层上方的一部份区域;其中,该反射电极层以及该穿透电极层的重迭区域成为一反射区域,且未被该反射电层覆盖的该穿透电极层成为一穿透区域;其中,该穿透电极层系由一硅层所构成。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区 |