针状硅结晶及其制造方法

摘要

本发明涉及针状硅结晶及其制造方法，更详细地说，涉及适用于纳米技术的纳米大小的具有尖锐形状的针状硅结晶、及可在硅基板面上大量形成该针状硅结晶的制造方法。本发明为超微小的针状硅结晶，其尖端为曲率半径1nm以上20nm以下的尖细状，其具有底面直径是10nm以上、且高度为底面直径的1倍以上的近乎圆锥状的尖锐的形状，通过使用了催化剂的等离子体CVD法，在硅基板表面上均匀地、且相对该基板面垂直地取向、形成该针状硅结晶。由此可以重现性良好地在希望的地方均质且大量地形成针状硅结晶。

主权项

1.一种针状硅结晶，其特征在于，尖端是曲率半径为1nm以上20nm以下的尖细状，为底面直径是10nm以上、且高度为底面直径的1倍以上的近乎圆锥状。