发明名称 | SOI基片上的N-P对接 | ||
摘要 | 用于将一个晶体管的源极/漏极区域与另一个晶体管的源极/漏极区域连接在一起而不使用叠加金属的SOI连接。这几个区域通过水杨苷(a salicide)毗连在一起。 | ||
申请公布号 | CN1682374A | 申请公布日期 | 2005.10.12 |
申请号 | CN03821829.1 | 申请日期 | 2003.09.05 |
申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | M·C·韦布;M·玻尔 |
分类号 | H01L27/12;H01L21/84;H01L27/11;H01L21/8244 | 主分类号 | H01L27/12 |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 钱慰民 |
主权项 | 1、一种集成电路,其特征在于,包含:基片,其具有包含有源器件的绝缘体硅(SOI)表面;至少两个为场效应晶体管的所述有源器件,每个具有成形在所述SOI表面上的相反导电率类型的源极和漏极区域,其中一个所述晶体管的其中一个所述区域直接毗连另一个晶体管的其中一个所述区域;以及水杨苷层,其从一个晶体管的所述一个区域延伸到另一个晶体管的所述一个区域。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |