具有存储器单元组的存储器体系结构

摘要

公开了一种针对串联存储器体系结构的改进单元设计。改进的单元设计有利于使用单一的刻蚀处理而不是两个来形成电容器，如传统上所要求的那样。在一个实施例中，电容器对的每个电容器具有与两个相邻单元晶体管的公共扩散区相接触的至少一个插头。在另一实施例中，使用了具有对电容器对的底电极的足够重叠的大插头。

主权项

1、一种集成电路，包括：至少一个存储器单元对，具有按照存储器组设置的第一和第二存储器单元，存储器单元包括具有第一和第二扩散区的单元晶体管和具有位于第一和第二电极之间的电介质层的单元电容器，其中所述存储器单元对的所述单元晶体管共享公共第二扩散区；第一底电极插头，将所述第一存储器单元电容器的所述第一电极与所述公共第二扩散区相连；第二底电极插头，将所述第二存储器单元电容器的所述第一电极与所述公共第二扩散区相连；以及所述第一存储器单元电容器的所述第二电极与所述第一存储器单元晶体管的所述第一扩散区相连，以及所述第二存储器单元电容器的所述第二电极与所述第二单元晶体管的所述第一扩散区相连。