| 主权项 |
1.一种半导体装置,其包含:半导体基板;形成在所述半导体基板表面上的元件电极;至少在所述元件电极上设置开口部分,形成在所述半导体基板上的第1绝缘层;从所述元件电极上到所述第1绝缘层的一部分上形成的金属布线;形成在所述半导体基板的上方的、除去所述金属布线的一部分表面之外的区域的第2绝缘层;以及形成在从所述第2绝缘层露出的所述金属布线上的外部连接端,其中:由金属构成的复数个记号部分,从与所述半导体基板表面大致垂直的所述半导体装置的侧面中的、由所述第2绝缘层构成的部分露出。2.如请求项1的半导体装置,其中:复数个所述记号部分,构成所述半导体装置的辨识记号。3.如请求项1或2的半导体装置,其中:所述记号部分,露出于相互平行的两个所述侧面。4.如请求项1或2的半导体装置,其中:在所述侧面设置有从该侧面垂直突出的突出部分;所述记号部分也从所述突出部分的与所述侧面相垂直的面露出。5.如请求项1或2的半导体装置,其中:所述记号部分,用电的方法连接在所述元件电极。6.如请求项1或2项的半导体装置,其中:一些所述记号部分、和另一些所述记号部分的至少一部分,距所述半导体基板表面的距离不同。7.一种半导体装置的制造方法,其包含以下的步骤:在表面上形成元件电极的、由晶圆构成的半导体基板上形成第1绝缘层,且除去所述元件电极上的所述第1绝缘层的工序S;从所述元件电极上到所述第1绝缘层上形成金属布线的工序T;横跨所述半导体基板的元件区域、和位置线,形成成为记号部分的金属层的工序U;在工序T及工序U之后,在所述半导体基板上方整个面上形成第2绝缘层,且除去所述金属布线的一部分的表面上的该第2绝缘层的工序V;在除去所述第2绝缘层而露出的所述金属布线的一部分的表面上形成外部连接端的工序W;以及在所述位置线的位置上切断所述半导体基板,成为单个半导体装置的工序X。8.如请求项7的半导体装置的制造方法,其中:在所述工序U中,使藉着所述工序X切成的单个的所述半导体装置的至少一个剖面上露出多个所述记号部分,来形成所述金属层。9.如请求项7或8的半导体装置的制造方法,其中:所述工序T和所述工序U同时进行。10.如请求项7或8的半导体装置的制造方法,其中:所述工序X,包含:在所述位置线的位置上用第1宽度切削所述第2绝缘层,直到所述金属层露出为止的工序X1;以及用比所述第1宽度窄的第2宽度,对用所述第1宽度切削而露出的所述金属层的切削面的中央部分进行切削,直到将所述半导体基板切断的工序X2。11.如请求项7或8的半导体装置的制造方法,其中:在所述工序U及工序V中,形成多个在其之间夹着所述第2绝缘层的所述金属层。图式简单说明:图1(a)为表示第1实施例的半导体装置的立体图;图1(b)为侧面图;图1(c)为A-A线剖示图。图2(a)-2(d)为表示第1实施例的半导体装置的制造工序的前半部分的剖示图。图3(a)-3(d)为表示第1实施例的半导体装置的制造工序的后半部分的剖示图。图4(a)为表示第2实施例的半导体装置的剖示图;图4(b)为表示第3实施例的半导体装置的剖示图;图4(c)为侧面图。图5为表示第4实施例的半导体装置的剖示图。图6(a)、图6(b)为表示第5实施例的半导体装置的制造工序的一部分的剖示图;图6(c)为第5实施例的半导体装置的立体图。图7(a)为表示第6实施例的半导体装置的立体图;图7(b)为侧面图;图7(c)为B-B线剖示图。图8为表示第6实施例的半导体装置的制造工序的一部分的剖示图。图9(a)为在已知半导体基板上进行按印的半导体装置的立体图;图9(b)为复数个半导体装置的集合体的平面图。图10(a)为切割结束后的已知半导体装置的平面图;图10(b)为侧面图。 |
