| 主权项 |
1.一种电子组件,具有:一第一绝缘层(1);一上金属层(5),特别是一电性导通连结焊垫层,形成于该第一绝缘层(1)表面;以及一电性导通结构(2),整合至该第一绝缘层(1),在施加机械力时,特别是在连结该上金属层(5)及/或固定该电子组件(EB)期间,机械稳定该绝缘层(1),以及,形成做为一被动电子组件。2.如申请专利范围第1项所述之电子组件,其特征在于:该第一绝缘层(1)系利用一材料形成,该材料之介电常数系小于4,特别是小于3。3.如申请专利范围第1或2项所述之电子组件,其特征在于:该上金属层(5)系具有一连结区域(BB),以及,该电性导通结构(2)基本上系铅直排列于该连结区域(BB)下方。4.如申请专利范围第3项所述之电子组件,其特征在于:该电性导通结构(2)在平行该上金属层(5)之一平面之尺寸系至少等量于该连结区域(BB)。5.如申请专利范围第1项所述之电子组件,其特征在于:该电性导通结构(2)系利用穿孔连接(V)及电性接触细条(KM),特别是接触金属细条,分别电性连接至供应电压位准及地点电压位准。6.如申请专利范围第1项所述之电子组件,其特征在于:至少一电性导通屏幕层(3)系形成在该上金属层(5)及该电性导通结构(2)间,以及,电性隔离于该上金属层(5)及该电性导通结构(2)。7.如申请专利范围第6项所述之电子组件,其特征在于:该屏幕层(3)系一第二金属层,以及,连接于地点电压位准。8.如申请专利范围第6项所述之电子组件,其特征在于:该屏幕层(3)系形成于一第三绝缘层(4a),并且,该第三绝缘层(4a)系排列于该第一绝缘层(1)及该上金属层(5)间。9.如申请专利范围第6项所述之电子组件,其特征在于:该屏幕层(3)系形成做为一接触板,或者,形成做为一格状结构。10.如申请专利范围第6项所述之电子组件,其特征在于:该屏幕层(3)面对该电性导通结构(2)之面积系至少等量于该电性导通结构(2)面对该屏幕层(3)之面积,并且,该屏幕层(3)面对该电性导通结构(2)之面积系进行排列,藉以使该屏幕层(3)之面积,在该等面积彼此映射时,能够完全覆盖该电性导通结构(2)之面积。11.如申请专利范围第1项所述之电子组件,其特征在于:该电性导通结构(2)系形成做为一电容结构,以及/或者,形成做为一电感结构。12.如申请专利范围第1项所述之电子组件,其特征在于:该电性导通结构(2)之至少一部分区域系形成做为一电容结构,并且,具有至少二金属平面,其中,彼此平行排列及彼此互相隔离之细条(M11、M12、M13)系形成于该第一金属平面,该等细条(M11、M12、M13)系对应于该第二金属平面中彼此平行排列及彼此互相隔离之细条(M21、M22、M23),并且,该等第一及第二金属平面中彼此铅直堆叠之该等细条(M11,M21;M12,M22;M13,M23)系利用穿孔连结(V)电性连接。13.如申请专利范围第11项所述之电子组件,其特征在于:该电性导通结构(2)之至少一部分区域系形成做为一电感结构,并具至少一金属平面,于其中系形成一螺旋金属轨迹。14.如申请专利范围第8项所述之电子组件,其特征在于:该上金属层(5)系利用该第三绝缘层(4a)之一接触区域(6),电性连接于一电性导通区域(7),特别是,该电性导通区域(7)系排列于该第二或第三绝缘层(4)。15.如申请专利范围第14项所述之电子组件,其特征在于:该接触区域(6)及该第二电性导通区域(7)系相对于该电性导通结构(2),以及,相对于该上金属层(5)之该连结区域(BB)地水平偏移排列。16.如申请专利范围第1项所述之电子组件,其特征在于:该电性导通结构(2)系形成平面,其中,该第一绝缘层(1)之水平表面及该第一电性导通结构(2)之表面区域系形成该第一绝缘层(1)之部分水平表面区域。17.一种积体电路,具有一基底,以及,根据申请专利范动第1至16项之任何一项所述之一电子组件(EB),其中,该电子组件(EB)系形成于该基底表面。18.一种电子组件之制造方法,其包括下列步骤:产生一第一绝缘层(1);在该第一绝缘层(1)表面产生一上金属层(5),特别是一电性导通连结焊垫层;以及在该第一绝缘层(1)里面形成一电性导通结构(2),藉以做为一被动电子组件,以及,藉以做为电性隔离于该上金属层(5)之一机械稳定结构。19.如申请专利范围第18项所述之方法,其特征在于:该第一绝缘层(1)系利用一材料形成,该材料之介电常数系小于4,特别是小于3。20.如申请专利范围第18或19项所述之方法,其特征在于:该电性导通结构(2)基本上系形成在该上金属层(5)之一连结区域下方,以及,该电性导通结构(2)在平行该上金属层(5)之一平面之尺寸系至少等量于该连结区域(BB)。21.如申请专利范围第18项所述之方法,其特征在于:该电性导通结构(2)系利用穿孔连接(V)及接触细条(KM),特别是接触金属细条,分别电性接触连接至供应电压位准及地点电压位准。22.如申请专利范围第18项所述之方法,其特征在于:在该上金属层(5)及该电性导通结构(2)间形成一电性导通屏幕层(3),该电性导通屏幕层(3)系电性隔离于该上金属层(5)及该电性导通结构(2),特别是产生在该第一绝缘层(1)表面之一第三绝缘层(4a)。23.如申请专利范围第22项所述之方法,其特征在于:该电性导通屏幕层(3)系形成做为一板,或者,形成做为一格状结构,以及,连接于地点电压位准。24.如申请专利范围第22项所述之方法,其特征在于:该电性导通屏幕层(3)之水平面积范围系至少等量于该电性导通结构(2)之水平面积范围,以及,该电性导通结构(2)之面积范围系完全覆盖于该电性导通屏幕层(3)之面积范围。25.如申请专利范围第18项所述之方法,其特征在于:该电性导通结构(2)系形成做为一电容结构,以及/或者,形成做为一电感结构。26.如申请专利范围第25项所述之方法,其特征在于:该电性导通结构(2)之至少一部分区域系形成做为一电容结构,并且,在各个例子中,彼此平行排列及彼此互相隔离之细条(M11、M12、M13;M21、M22、M23)系形成于一第一金属平面及一第二金属平面,其中,该第一金属平面及该第二金属平面之该等细条(M11、M12、M13;M21、M22、M23)基本上系对应排列,并且,利用穿孔连结(V)电性连接,并且,水平相邻细条(M11、M12、M13;M21、M22、M23)系交替连接至一第一电压位准及一第二电压位准。27.如申请专利范围第25项所述之方法,其特征在于:该电性导通结构(2)之至少一部分区域系形成做为一电感结构,并且,该至少一金属平面中系形成一螺旋金属轨迹。28.一种积体电路之制造方法,其包括下列步骤:提供一基底,以及,在该基底表面形成根据申请专利范围第18至27项之任何一项所述之一电子组件(EB)。图式简单说明:第1图系表示根据本发明的一种电子组件的剖面图。第2图系表示根据本发明的这种电子组件中一个电性导通结构的第一较佳实施例的透视图。第3图系表示根据本发明的这种电子组件中一个电性导通结构的第二较佳实施例的平面图。第4图系表示根据第3图的电性导通结构中某个细节的透视图。 |
