| 主权项 |
1.一种切割晶圆的前制程,包括:提供一晶圆,该晶圆具有多数条切割道以及由该些切割道所定义出之多数个晶粒,而且该晶圆上系已覆盖有至少一材料层;以及进行一移除步骤,去除各该晶粒边角处(Corner)所对应之位于该切割道上的该材料层。2.如申请专利范围第1项所述之切割晶圆的前制程,其中该移除步骤更包括去除位于该些切割道交会处的该材料层,以于该些切割道交会处形成一凹槽图案。3.如申请专利范围第2项所述之切割晶圆的前制程,其中该凹槽图案包括圆形、椭圆形、十字形或多边形。4.如申请专利范围第2项所述之切割晶圆的前制程,其中该移除步骤更包括去除各该晶粒边上(Side)所对应之位于该切割道上的该材料层,以于该些切割道上形成围绕各该晶粒周围之多数条沟渠。5.如申请专利范围第4项所述之切割晶圆的前制程,其中该移除步骤更包括去除位于该些沟渠之间的该材料层。6.如申请专利范围第1项所述之切割晶圆的前制程,其中该移除步骤更包括去除各该晶粒边上所对应之位于该切割道上的该材料层,以于该些切割道上形成围绕各该晶粒周围之多数条沟渠。7.如申请专利范围第6项所述之切割晶圆的前制程,其中该移除步骤更包括去除位于该些沟渠之间的该材料层。8.如申请专利范围第1项所述之切割晶圆的前制程,其中该移除步骤包括利用雷射或图案化制程来进行。9.如申请专利范围第1项所述之切割晶圆的前制程,其中在去除该材料层之后系暴露出该晶圆表面。10.如申请专利范围第1项所述之切割晶圆的前制程,其中该晶圆上系已覆盖有一介电层与一导电层。11.一种切割晶圆的方法,包括:提供一晶圆,该晶圆具有多数条切割道以及由该些切割道所定义出之多数个晶粒,而且该晶圆上系已覆盖有至少一材料层;进行一移除步骤,去除各该晶粒边角处所对应之位于该切割道上的该材料层;以及对该晶圆进行切割。12.如申请专利范围第11项所述之切割晶圆的方法,其中该移除步骤更包括去除位于该些切割道交会处的该材料层,以于该些切割道交会处形成一凹槽图案。13.如申请专利范围第12项所述之切割晶圆的方法,其中该凹槽图案包括圆形、椭圆形、十字形或多边形。14.如申请专利范围第12项所述之切割晶圆的方法,其中该移除步骤更包括去除各该晶粒边上所对应之位于该切割道上的该材料层,以于该些切割道上形成围绕各该晶粒周围之多数条沟渠。15.如申请专利范围第14项所述之切割晶圆的方法,其中该移除步骤更包括去除位于该些沟渠之间的该材料层。16.如申请专利范围第11项所述之切割晶圆的方法,其中该移除步骤更包括去除各该晶粒边上所对应之位于该切割道上的该材料层,以于该些切割道上形成围绕各该晶粒周围之多数条沟渠。17.如申请专利范围第16项所述之切割晶圆的方法,其中该移除步骤更包括去除位于该些沟渠之间的该材料层。18.如申请专利范围第11项所述之切割晶圆的方法,其中该移除步骤包括利用雷射或图案化制程来进行。19.如申请专利范围第11项所述之切割晶圆的方法,其中该晶圆的切割包括利用钻石刀或是雷射来进行。20.如申请专利范围第11项所述之切割晶圆的方法,其中其中该晶圆上系已覆盖有一介电层与一导电层。图式简单说明:图1所绘示为本发明一实施例的晶圆之上视示意图。图2A至图2F所绘示为本发明一较佳实施例之切割道交会处形成凹槽图案之示意图。图3所绘示为本发明一较佳实施例之图2A由I-I'剖面线所得之剖面示意图。图4A与图4B所绘示为本发明一较佳实施例之切割道上形成凹槽图案与沟渠之示意图。图5所绘示为本发明一较佳实施例之图4A由II-II'剖面线所得之剖面示意图。图6A与图6B所绘示为本发明一较佳实施例之于切割道上移除材料层之示意图。图7所绘示为本发明一较佳实施例之图6A由III-III`剖面线所得之剖面示意图。图8所绘示为本发明另一较佳实施例之于切割道上形成围绕各晶粒周围之沟渠之示意图。图9所绘示为本发明另一较佳实施例之于切割道上移除各沟渠间之材料层之示意图。 |
