| 主权项 |
1.一种一般式(A1-xBx)2Si2O所示之萤光体,(式中,A系选自Gd、Y、Lu及La之群组之至少一种,B系选自A以外之稀土元素之至少一种,0<x≦0.2)。2.如申请专利范围第1项之萤光体,其中,0.005≦x≦0.06。3.如申请专利范围第1项之萤光体,其具有Gd2Si2O7之构造者。4.如申请专利范围第1项之萤光体,其中A系Gd,B系Ce、Tb或Eu。5.如申请专利范围第4项之萤光体、其中B系Ce。6.一种萤光体组成物,其特征为:含至少5质量%之申请专利范围第1至5项中任一项之萤光体。7.一种萤光体组成物,其特征为:基质中含至少5质量%之申请专利范围第1至5项中任一项之萤光体。8.如申请专利范围第7项之萤光体组成物,其基质系选自石英玻璃、硼矽酸玻璃、石英及方英石之群组之至少一种。9.如申请专利范围第7项之萤光体组成物,其基质系聚合物树脂。10.一种闪烁器,系由申请专利范围第1至5项中任一项之萤光体或申请专利范围第6项之萤光体组成物制成。11.一种辐射线检测器,系使用申请专利范围第10项之闪烁器。图式简单说明:第1图系实施例1中制造之萤光体粉末之X射线绕射图型。第2图系实施例1中制造之萤光体之结晶构造图。 |
