| 主权项 |
1.一种多孔质膜之形成方法,其特征在于包括:在基板上,涂敷包含聚矽氧烷、空孔形成材、盐及溶媒之膜形成用组成物之涂敷制程;由前述膜形成用组成物,来蒸发前述溶媒之第1加热处理制程;在惰性气体气氛下,进行前述聚矽氧烷之聚合之第2加热处理制程;以及在氧化性气体气氛下,气化前述空孔形成材之第3加热处理制程。2.如申请专利范围第1项之多孔质膜之形成方法,其中,前述第1加热处理制程系在惰性气体气氛下,进行于350℃以下之温度。3.如申请专利范围第1项之多孔质膜之形成方法,其中,前述第2加热处理制程系进行于400℃以下之温度。4.如申请专利范围第3项之多孔质膜之形成方法,其中,前述第2加热处理制程系进行于350℃以下之温度。5.如申请专利范围第1项之多孔质膜之形成方法,其中,前述第3加热处理制程系进行在相同于前述第2加热处理制程之同样温度或更加低于前述第2加热处理制程之温度。6.如申请专利范围第1项之多孔质膜之形成方法,其中,前述氧化性气体系氧气。7.如申请专利范围第6项之多孔质膜之形成方法,其中,前述氧气系包含臭氧或氧游离基。8.如申请专利范围第1项之多孔质膜之形成方法,其中,前述聚矽氧烷系藉由通式(1):RnSiX4-n ……(1)(在通式中,R系表示氢原子或碳数目1~20之有机基,X系表示相同或不同之水解性基,n系0~2之整数。在n成为2时,R系可以相同,也可以不同。)所表示之化合物之水解缩合物。9.如申请专利范围第8项之多孔质膜之形成方法,其中,前述聚矽氧烷之重量平均分子量系在300~20,000之范围。10.如申请专利范围第1项之多孔质膜之形成方法,其中,前述空孔形成材系具有重量平均分子量200~10,000之亚烷基氧化物构造之聚合物。11.如申请专利范围第1项之多孔质膜之形成方法,其中,前述盐系铵盐。12.如申请专利范围第1项之多孔质膜之形成方法,其中,前述溶媒系亚烷基乙二醇二烷基醚或二亚烷基乙二醇二烷基醚。13.如申请专利范围第1项之多孔质膜之形成方法,其中,前述基板系半导体基板。图式简单说明:第1图(a)~(d)系显示本实施形态之多孔质膜形成制程之剖面图。第2图(a)~(c)系显示多孔质膜形成制程之比较例之剖面图。第3图(a)~(d)系显示多孔质膜形成制程之比较例之剖面图。 |
