| 主权项 |
1.一种用于形成一晶种层之方法,其包括:在一基板中之一凹槽内形成一非连续性金属层;活化该凹槽内之非连续性金属层及至少一非沈积区域;及将一晶种层无电镀的沈积于该凹槽内之非连续性金属层上及该至少一非沈积区域上。2.如请求项1之方法,其中形成该凹槽包括形成一高纵横比凹槽,其包括一大于约3:1的纵横比。3.如请求项1之方法,其中形成该非连续性金属层包括形成一非连续性层,该非连续性层由以下材料中之至少一种材料组成:钽、氮化钽、氮化钽矽、钨、钛、钛钨、氮化钛、氮化钛矽或其一组合。4.如请求项1之方法,其中活化该凹槽内之非连续性金属层及该至少一非沈积区域包括:在该凹槽内之非连续性金属层上及该至少一非沈积区域上形成一活化层。5.如请求项4之方法,其中活化该凹槽内之非连续性金属层及该至少一非沈积区域包括:在该凹槽内之非连续性金属层及该至少一非沈积区域上形成一钇层或一铂层中之至少一层。6.如请求项1之方法,其进一步包括在该晶种层上形成一金属填充层。7.如请求项6之方法,其进一步包括藉由使用一化学机械抛光过程来对该金属填充层进行抛光。8.如请求项6之方法,其中形成该金属填充层包括形成一实质地无空隙的金属填充层。9.一种用于形成一微电子结构之方法,其包括:在一基板中形成一凹槽;在该凹槽内形成一非连续性金属层;活化该凹槽内之非连续性金属层及至少一非沈积区域;将一晶种层无电镀的沈积于该凹槽内之非连续性金属层上及该至少一非沈积区域上;及在该晶种层上形成一金属填充层。10.如请求项9之方法,其中形成该凹槽包括形成一高纵横比凹槽,其包括一大于约3:1的纵横比。11.如请求项9之方法,其中形成该非连续性金属层包括形成一非连续性层,该非连续性层由以下材料中之至少一种材料组成:钽、氮化钽、氮化钽矽、钨、钛、钛钨、氮化钛、氮化钛矽或其一组合。12.如请求项9之方法,其中无电镀的沈积该晶种层包括无电镀的沈积一铜层,该铜层包括直径约为1微米或更大的一晶粒大小。13.如请求项9之方法,其中形成该金属填充层包括电镀一金属填充层。14.如请求项9之方法,其中形成该金属填充层包括形成一实质地无空隙的金属填充层。15.如请求项9之方法,其中形成该金属填充层包括电镀一铜层。16.一种微电子结构,其包括:一位于一基板中之凹槽;一被安置于该凹槽内之非连续性金属层;一被安置于该凹槽内之非连续性金属层上及至少一非沈积区域上的晶种层;及一被安置于该晶种层上之金属填充层。17.如请求项16之结构,其中该晶种层包括直径约为1微米或更大的一晶粒大小。18.如请求项16之结构,其中该非连续性金属层包括以下材料中之至少一种:钽、氮化钽、氮化钽矽、钨、钛、钛钨、氮化钛、氮化钛矽或其一组合。19.如请求项16之结构,其中该晶种层包含铜。20.如请求项16之结构,其中该凹槽包括一高纵横比凹槽,其中该高纵横比包括一大于约3:1的纵横比。21.如请求项16之结构,其中该金属填充层包括一实质地无空隙的金属填充层。图式简单说明:图1a-1i表示当实施本发明之方法的一实施例时可形成之结构的横截面图。图2表示先前技术中之一结构的横截面。 |
