| 主权项 |
1.一种氮化镓场效电晶体之感测器,系至少包含:一中空矽基板;一成核层,系形成于该中空矽基板上;一缓冲层,系形成于该成核层上;一萧基层,系形成于该缓冲层上;一源极及一汲极,系形成于该萧基层上之两端;一闸极,系形成于该源极及该汲极之间。2.依据申请专利范围第1项所述之氮化镓场效电晶体之感测器,其中,该氮化镓场效电晶体之感测器的结构为高电子移导率场效电晶体(HEMT)。3.依据申请专利范围第1项所述之氮化镓场效电晶体之感测器,其中,该缓冲层及萧基层之结构为磊晶于矽基板上。4.依据申请专利范围第1项所述之氮化镓场效电晶体之感测器,其中,该中空矽基板之制造方法为(a)取一矽基板上制作的氮化镓场效电晶体;(b)以电浆蚀刻法将该矽基板之背面蚀刻掏空形成该中空矽基板。5.依据申请专利范围第4项所述之氮化镓场效电晶体之感测器,其中,电浆蚀刻法为乾蚀刻的方式。6.依据申请专利范围第4项所述之氮化镓场效电晶体之感测器,其中,电浆蚀刻法为微影制程。7.依据申请专利范围第1项所述之氮化镓场效电晶体之感测器,其中,该氮化镓场效电晶体为压力感测器。8.依据申请专利范围第7项所述之氮化镓场效电晶体之感测器,其中,该压力感测器为主动式元件。9.依据申请专利范围第7项所述氮化镓场效电晶体之感测器,其中,该压力感测器系利用氮化镓之压电效应特性。10.依据申请专利范围第7项所述之氮化镓场效电晶体之感测器,其中,该压力感测器系利用氮化镓之最宽能带隙。11.依据申请专利范围第7项所述之氮化镓场效电晶体之感测器,其中,该压力感测器为IC积体化电路。12.一种氮化镓场效电晶体之感测器,系至少包含:一中空矽基板;一成核层,系形成于该中空矽基板上;一缓冲层,系形成于该成核层上;一通道,系形成于该缓冲层上;一表面层,系形成于该通道上;一源极及一汲极,系磊晶成长于该表面层之两端;一闸极,系形成于该源极及该汲极之间。13.依据申请专利范围第12项所述之氮化镓场效电晶体之感测器,其中,该氮化镓场效电晶体之感测器的结构为金属半导体场效电晶体(MESFET)。14.依据申请专利范围第12项所述之氮化镓场效电晶体之感测器,其中,该缓冲层及表面层之结构为磊晶于矽基板上。15.依据申请专利范围第12项所述之氮化镓场效电晶体之感测器,其中,该中空矽基板之制造方法为(a)取一矽基板上制作的氮化镓场效电晶体;(b)以电浆蚀刻法将该矽基板之背面蚀刻掏空形成该中空矽基板。16.依据申请专利范围第15项所述之氮化镓场效电晶体之感测器,其中,电浆蚀刻法为乾蚀刻的方式。17.依据申请专利范围第15项所述之氮化镓场效电晶体之感测器,其中,电浆蚀刻法为微影制程。18.依据申请专利范围第12项所述之氮化镓场效电晶体之感测器,其中,该氮化镓场效电晶体为压力感测器。19.依据申请专利范围第18项所述之氮化镓场效电晶体之感测器,其中,该压力感测器为主动式元件。20.依据申请专利范围第18项所述之氮化镓场效电晶体之感测器,其中,该压力感测器系利用氮化镓之压电效应特性。21.依据申请专利范围第18项所述之氮化镓场效电晶体之感测器,其中,该压力感测器系利用氮化镓之最宽能带隙。22.依据申请专利范围第18项所述之氮化镓场效电晶体之感测器,其中,该压力感测器为IC积体化电路。图式简单说明:第1A图,系本发明之矽基板上氮化镓高电子移导率场效电晶体结构图。第1B图,系本发明之矽基板上氮化镓金属半导体场效电晶体结构图。第2图,系本发明之矽基板上以氮化镓为基础的场效电晶体示意图。第3图,系本发明之场效电晶体备面矽基板上预备蚀刻的区域定义图。第4图,系本发明之氮化镓场效电晶体之感测器示意图。第5图,系前案之n-p型氮化镓制作之薄膜式的氮化镓压力侦测器示意图。 |
