| 主权项 |
1.一种磁性随机存取记忆体,其包含:阵列,具有堆积成多数级的多数MTJ元件;第一导电线,配置于该阵列内;第一元件,连接于该第一导电线;第二导电线,配置于该阵列内,具有和该第一导电线同一功能,配置于该第一导电线上(above);及第二元件,连接于该第二导电线;其中配置于各级的MTJ元件数目从下级向上级逐渐变多,该第一及第二元件配置于该阵列的正下面或其周边部者。2.如申请专利范围第1项之磁性随机存取记忆体,其中该第一及第二导电线在同一方向延伸。3.如申请专利范围第2项之磁性随机存取记忆体,其中该第一及第二元件在该第一及第二导电线延伸的方向排成一列。4.如申请专利范围第1项之磁性随机存取记忆体,其中该第一元件比该第二元件配置于接近该阵列中心的位置。5.如申请专利范围第1项之磁性随机存取记忆体,其中关于存在于该第一及第二导电线延伸的方向的MTJ元件,MTJ元件数目从下级向上级逐渐变多。6.如申请专利范围第2项之磁性随机存取记忆体,其中该第一及第二导电线延伸的方向为列方向或行方向。7.如申请专利范围第1项之磁性随机存取记忆体,其中该第一及第二导电线为使用于写入动作或读出动作的导电线。8.如申请专利范围第1项之磁性随机存取记忆体,其中该第一及第二元件为开关元件。9.如申请专利范围第1项之磁性随机存取记忆体,其中该第一及第二元件构成感测放大器。10.如申请专利范围第1项之磁性随机存取记忆体,其中该第一导电线比该第二导电线短。11.一种磁性随机存取记忆体,其包含:阵列,具有堆积成多数级的多数MTJ元件;第一导电线,配置于该阵列内;第一元件,连接于该第一导电线;第二导电线,配置于该阵列内,具有和该第一导电线同一功能,形成于该第一导电线上(above);及第二元件,连接于该第二导电线;其中该第一及第二元件都配置于除了该阵列正下面以外的周边部,该第一元件比该第二元件配置于该阵列附近者。12.如申请专利范围第11项之磁性随机存取记忆体,其中该第一及第二导电线在同一方向延伸。13.如申请专利范围第12项之磁性随机存取记忆体,其中该第一及第二元件在该第一及第二导电线延伸的方向排成一列。14.如申请专利范围第11项之磁性随机存取记忆体,其中该第一元件比该第二元件配置于接近该阵列中心的位置。15.如申请专利范围第11项之磁性随机存取记忆体,其中关于存在于该第一及第二导电线延伸的方向的MTJ元件,MTJ元件数目从下级向上级逐渐变多。16.如申请专利范围第12项之磁性随机存取记忆体,其中该第一及第二导电线延伸的方向为列方向或行方向。17.如申请专利范围第11项之磁性随机存取记忆体,其中该第一及第二导电线为使用于写入动作或读出动作的导电线。18.如申请专利范围第11项之磁性随机存取记忆体,其中该第一及第二元件为开关元件。19.如申请专利范围第11项之磁性随机存取记忆体,其中该第一及第二元件构成感测放大器。20.如申请专利范围第11项之磁性随机存取记忆体,其中该第一导电线比该第二导电线短。21.一种磁性随机存取记忆体,其具有多数单元,每一单元包含:多数MTJ元件,排成一排;第一及第二导电线,共同连接于该多数MTJ元件且夹住该多数MTJ元件;开关元件,连接于该第一导电线一端;及感测放大器,连接于该第二导电线一端;其中该单元堆积成多数级,并且各单元内的该MTJ元件数目从下级单元向上级单元逐渐变多者。22.一种磁性随机存取记忆体,其具有多数单元,每一单元包含:多数MTJ元件,排成一排;第一及第二导电线,共同连接于该多数MTJ元件且夹住该多数MTJ元件;开关元件,连接于该第一导电线一端;及感测放大器,连接于该第二导电线一端;其中该单元堆积成多数级,并且各单元内的该第一及第二导电线长度从下级单元向上级单元逐渐变长者。23.一种磁性随机存取记忆体,其具有多数单元,每一单元包含:多数MTJ元件,排成一排;导电线,共同连接于该多数MTJ元件;开关元件,连接于该导电线一端;及开关元件,连接于该导电线他端;其中该单元堆积成多数级,并且各单元内的该MTJ元件数目从下级单元向上级单元逐渐变多者。图式简单说明:图1为显示作为参考例的记忆体阵列部的平面图。图2为沿着图1的II-II线的截面图。图3为显示关于本发明第1实施例的记忆体阵列部的平面图。图4为沿着图3的IV-IV线的截面图。图5为显示关于本发明第2实施例的记忆体阵列部的平面图。图6为沿着图5的VI-VI线的截面图。图7为显示关于本发明第3实施例的记忆体阵列部的平面图。图8为沿着图7的VIII-VIII线的截面图。图9为显示关于本发明第4实施例的记忆体阵列部的平面图。图10为沿着图9的X-X线的截面图。图11为显示关于本发明第5实施例的记忆体的单元阵列部的截面图。 |
