发明名称 半导体装置
摘要 提供一种能够对安装于一内插器之上的各个IC晶片测试的半导体装置。在具有其上安装一第一IC晶片和一第二IC晶片的内插器的半导体装置中,藉由输入布线和输出布线分别将第一IC晶片和第二IC晶片外接该内插器,并且用作一开关的一电晶体元件串联地插入到第一IC晶片和第二IC晶片之间连接的布线中。
申请公布号 TWI241670 申请公布日期 2005.10.11
申请号 TW093110719 申请日期 2004.04.16
申请人 新力股份有限公司 发明人 松冈次弘
分类号 H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种半导体装置,其包括:复数个IC晶片,藉由布线相互连接且配置于一基板上;其中各该等IC晶片藉由输入布线和输出布线外接该基板;以及一电晶体元件,用作对各该等IC晶片的一操作检查开关,串联地插入到该等IC晶片之间的该布线中。2.根据申请专利范围第1项之半导体装置,其中该电晶体元件用作一阻尼电阻器。3.根据申请专利范围第1项之半导体装置,其中一终端电阻形成在连接于该等IC晶片之间的该布线之上。4.根据申请专利范围第1项之半导体装置,其中该电晶体元件系一空乏型FET。5.根据申请专利范围第2项之半导体装置,其中该电晶体元件和一电阻自动补偿电路连接。6.根据申请专利范围第3项之半导体装置,其中该终端电阻和该电阻自动补偿电路连接。7.根据申请专利范围第1项之半导体装置,其中该基板系一矽基板。8.根据申请专利范围第1项之半导体装置,其中该基板系一玻璃基板。图式简单说明:图1系说明应用本发明的半导体装置的例子的电路图;图2系示出在一闸极电位VG和一汲极电流ID之间关系的一示意图;以及图3系说明于相关技术中的一半导体装置的一电路图。
地址 日本