| 主权项 |
1.一种非挥发性记忆装置,包含:一行列之非挥发性记忆胞;一主资料暂存器,用以接收欲储存于该行列中之资料;一资料比较暂存器,用以接收来自主资料暂存器之资料;一副资料暂存器,用以接收来自该行列之资料;及一比较电路,用以比较副资料暂存器及资料比较暂存器中所储存之资料,以验证该行列中之资料之正确规划。2.如申请专利范围第1项所述之装置,其中,记忆胞包含快闪记忆胞。3.如申请专利范围第1项所述之装置,其中,在该比较发生之期间中,主资料暂存器接收及/或保持用于规划于该行列中之一后组资料。4.一种系统,包含:一记忆装置,如申请专利范围第1项所述;及一控制器,此由于比较结果指示一误差,使资料再写入于该行列中。5.一种用以操作非挥发性记忆装置之方法,包括步骤:接收欲储存于非挥发性记忆胞行列中之资料;储存该第一资料于主资料暂存器中;储存该第一资料于资料比较暂存器中;规划该第一资料于该行列中;读出该行列中所储存之第一资料;储存所读出之第一资料于副资料暂存器中;及比较副资料暂存器及资料比较暂存器中所储存之资料,以验证该行列中之资料之正确规划。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中,在规划步骤之前,资料自主资料暂存器转移至副资料暂存器。7.如申请专利范围第5项所述之方法,其中,与规划,读出,及比较步骤之一或更多同时,主资料暂存器接收及/或保持用以规划于该行列中之一第二组资料。8.如申请专利范围第5项所述之方法,由于比较步骤指示资料不正确规划于该行列中,另包括再规划该资料于该行列中之额外步骤。9.如申请专利范围第8项所述之方法,另包括步骤:在再规划之步骤之后,重复读出及比较之步骤。10.一种非挥发性记忆装置,包含:一行列之非挥发性储存单位;一主资料暂存器,用以接收欲储存于该行列中之资料,其中,在欲储存于该行列中之资料储存于该行列中之后,主资料暂存器维持欲储存于该行列中之资料;一副资料暂存器,用以接收来自该行列之资料;及一比较电路,用以比较副资料暂存器及主资料暂存器中所储存之资料,以验证资料之正确规划于该行列中。11.如申请专利范围第10项所述之装置,其中,储存单位包含快闪记忆胞。12.如申请专利范围第10项所述之装置,其中,储存单位包含NROM记忆胞。13.如申请专利范围第10项所述之装置,其中,储存单位包含磁性记忆胞。14.如申请专利范围第10项所述之装置,其中,储存单位为多状态储存单位。15.如申请专利范围第10项所述之装置,其中,欲储存于该行列中之资料包含多个资料分区,另包含:写入电路,其中,该写入电路平行储存多个资料分区于该行列中。16.如申请专利范围第15项所述之装置,其中,比较电路平行比较副资料暂存器及主资料暂存器中所储存之多个资料分区。17.如申请专利范围第15项所述之装置,其中,比较电路一次一个分区顺次比较副资料暂存器及主资料暂存器中所储存之多个资料分区。18.一种系统,包含:一记忆装置,如申请专利范围第10项所述;及一控制器。19.如申请专利范围第18项所述之系统,其中,该比较电路反应由控制器所发出之命令,执行该比较。20.如申请专利范围第18项所述之系统,其中,该比较电路在由记忆装置所发起之一程序中执行该比较,与控制器无关。21.如申请专利范围第18项所述之系统,另包含:感测电路,用以读出该行列中之资料,并供应该资料至副暂存器,其中,控制器指定参数,用以读出该资料。22.如申请专利范围第10项所述之装置,其中,比较电路反应一命令,执行该比较,另包含:感测电路,用以读出该行列中之资料,并供应该资料至副暂存器,其中,该命令指定一用以读出该资料之条件。23.一种非挥发性记忆装置,包含:一非挥发性多状态储存单位行列;一主资料暂存器,用以接收欲储存于该行列中之多状态资料,其中,在欲储存于该行列中之资料储存于该行列中之后,主资料暂存器维持欲储存于该行列中之资料;感测电路,读出该行列中之资料;及一比较电路,连接至感测电路,用以比较自该行列中读出之资料及主资料暂存器中所储存之资料,以验证该行列中之资料之正确规划。24.如申请专利范围第23项所述之装置,其中,储存单位包含快闪记忆胞。25.如申请专利范围第23项所述之装置,其中,储存单位包含NROM记忆胞。26.如申请专利范围第23项所述之装置,其中,储存单位包含磁性记忆胞。27.如申请专利范围第23项所述之装置,另包含:一第二主资料暂存器,其中,在比较发生之期间中,该第二主资料暂存器接收及/或保持用以规划于该行列中之一后组资料。28.如申请专利范围第23项所述之装置,另包含:一第二主资料暂存器,其中,在规划发生之期间中,该第二主资料暂存器接收及/或保持用以规划于该行列中之一后组资料。29.如申请专利范围第23项所述之装置,其中,欲储存于行列中之资料包含多个资料分区,另包含:写入电路,其中,写入电路平行储存多个资料分区于该行列中。30.如申请专利范围第29项所述之装置,其中,感测电路自该行列中读出多多个分区,及比较电路平行比较自该行列中读出之多个资料分区及主资料暂存器中所储存之资料。31.如申请专利范围第29项所述之装置,其中,感测电路自该行列中读出多多个分区,及比较电路每次一分区顺次比较自该行列中读出之多个资料分区及主资料暂存器中所储存之资料。32.一种系统,包含:一记忆装置,如申请专利范围第23项所述;及一控制器。33.如申请专利范围第32项所述之系统,其中,该比较电路反应由控制器所发出之命令,执行该比较。34.如申请专利范围第32项所述之系统,其中,该比较电路在由记忆装置所发起之一程序中执行该比较,与控制器无关。35.如申请专利范围第32项所述之系统,其中,控制器指定参数,用以读出该行列中之资料。36.如申请专利范围第23项所述之装置,其中,比较电路反应一命令执行该比较,且其中,该命令指定用以自该行列中读出资料之条件。37.一种非挥发性记忆装置,包含:一非挥发性储存单位行列;一主资料暂存器,用以接收欲储存于该行列中之资料;一资料比较暂存器,用以接收主资料暂存器之资料;一写入电路,用以储存欲储存于该行列中之资料于该行列中;一副资料暂存器,用以接收来自该行列之资料;及一比较电路,用以比较副资料暂存器及资料比较暂存器中所储存之资料,以验证该行列中之资料之正确规划。38.如申请专利范围第37项所述之装置,其中,储存单位为多状态储存单位。39.如申请专利范围第37项所述之装置,其中,欲储存于该行列中之资料包含多个资料分区,且其中,写入电路平行储存多个资料分区于该行列中。40.如申请专利范围第39项所述之装置,其中,比较电路平行比较副资料暂存器及资料比较暂存器中之多个资料分区。41.如申请专利范围第39项所述之装置,其中,比较电路顺次比较副资料暂存器及资料比较暂存器中之多个资料分区。42.一种系统,包含:一记忆装置,如申请专利范围第37项所述;及一控制器,其中,比较电路反应由控制器所发出之命令,执行该比较。43.如申请专利范围第42项所述之系统,其中,比较电路反应一命令,执行该比较,另包含:感测电路,用以读出该行列中之资料,并供应该资料至副暂存器,其中,该命令指定用以读出该资料之参数。44.一种系统,包含:一记忆装置,如申请专利范围第37项所述;及一控制器,其中,比较电路在由记忆装置所发起之一程序中执行该比较,与控制器无关。45.如申请专利范围第44项所述之系统,其中,比较电路反应一命令执行该比较,另包含:感测电路,用以读出该行列中之资料,并供应该资料至副暂存器,其中,该命令指定用以读出该资料之条件。46.一种用以操作非挥发性记忆装置之方法,包括步骤:接收欲储存于非挥发性储存单位之行列中之第一资料;储存该第一资料于主记忆暂存器中;规划该第一资料于该行列中,同时维持该第一资料于主资料暂存器;读出该行列中所储存之第一资料;储存所读出之第一资料于副资料暂存器中;及比较副资料暂存器及主资料暂存器中所储存之资料,以验证该行列中之资料之正确规划。47.如申请专利范围第46项所述之方法,其中,在规划步骤之前,资料自主资料暂存器转移至副资料暂存器。48.如申请专利范围第46项所述之方法,由于比较步骤指示资料不正确规划于该行列中,故另包括执行误差改正措施之额外步骤。49.如申请专利范围第48项所述之方法,另包括步骤:在执行误差改正措施之步骤后,重复读出及比较之步骤。50.如申请专利范围第46项所述之方法,另包括:在该比较之后,重复读出,储存,及比较。51.如申请专利范围第50项所述之方法,其中,以不同组之读出条件执行比较前之读出及比较后之重复读出。52.如申请专利范围第46项所述之方法,其中,第一资料包含多个分区,且其中,该规划包括平行规划多个分区于该行列中。53.如申请专利范围第52项所述之方法,其中,在多个分区之多个上平行执行读出,储存,及比较。54.如申请专利范围第52项所述之方法,其中,在多个分区上顺次执行读出,储存,及比较。55.如申请专利范围第46项所述之方法,其中,反应一命令执行读出,储存,及比较。56.如申请专利范围第55项所述之方法,其中,该命令由记忆装置外部发出。57.如申请专利范围第55项所述之方法,其中,该命令由记忆装置内部产生。58.如申请专利范围第55项所述之方法,其中,该命令指定读出之条件。59.如申请专利范围第55项所述之方法,其中,该命令指定读出之参数。60.一种用以操作非挥发性多状态记忆装置之方法,包括步骤:接收欲储存于非挥发性储存单立之行列中之第一多状态资料;储存该第一资料于主资料暂存器中;规划该第一资料于该行列中,同时维持该第一资料于主资料暂存器中;读出该行列中所储存之第一资料;及比较读出之第一资料及主资料暂存器中所储存之资料,以验证该行列中之资料之正确规划。61.如申请专利范围第60项所述之方法,由于比较步骤指示资料之不正确规划于该行列中,故另包括执行误差改正措施之额外步骤。62.如申请专利范围第61项所述之方法,另包括步骤:在执行误差改正措施之步骤后,重复读出及比较之步骤。63.如申请专利范围第60项所述之方法,另包括:在该比较之后,重复读出,储存,及比较。64.如申请专利范围第63项所述之方法,其中,以不同组之读出条件执行比较前之读出及比较后之重复读出。65.如申请专利范围第60项所述之方法,其中,第一资料包含多个分区,且其中,该规划包括平行规划多个分区于该行列中。66.如申请专利范围第65项所述之方法,其中,在多个分区之多个上平行执行读出,储存,及比较。67.如申请专利范围第65项所述之方法,其中,在多个分区上顺次执行读出,储存,及比较。68.如申请专利范围第60项所述之方法,其中,反应一控制信号,执行读出,储存,及比较。69.如申请专利范围第68项所述之方法,其中,该控制信号由记忆装置外部发出。70.如申请专利范围第68项所述之方法,其中,该控制信号由记忆装置内部产生。71.如申请专利范围第68项所述之方法,其中,该控制信号指定读出之条件。72.如申请专利范围第68项所述之方法,其中,该控制信号指定读出之参数。73.一种用以操作非挥发性记忆装置之方法,包括步骤:接收欲储存于非挥发性储存单位之行列中之第一资料;储存该第一资料于主资料暂存器中;储存第一资料于资料比较暂存器中;规划该第一资料于该行列中;读出该行列中所储存之第一资料;储存所读出之第一资料于副资料暂存器中;比较副资料暂存器及资料比较暂存器中所储存之资料,以验证该行列中之资料之正确规划;及其后重复该读出,储存,及比较。74.如申请专利范围第73项所述之方法,其中,以不同组之读出条件执行比较前之读出及比较后之重复读出。75.一种用以操作非挥发性记忆装置之方法,包括步骤:接收欲储存于非挥发性储存单位之行列中之第一资料;储存该第一资料于主资料暂存器中;储存第一资料于资料比较暂存器中;规划该第一资料于该行列中,其中,第一资料包含多个分区,且其中,该规划包括平行规划多个分区于该行列中;读出该行列中所储存之第一资料;储存所读出之第一资料于副资料暂存器中;及比较副资料暂存器及资料比较暂存器中所储存之资料,以验证该行列中之资料之正确规划。76.如申请专利范围第75项所述之方法,其中,在多个分区之多个上平行执行读出,储存,及比较。77.如申请专利范围第75项所述之方法,其中,在多个分区之多个上每次一分区顺次执行读出,储存,及比较。78.一种用以操作非挥发性记忆装置之方法,包括步骤:接收欲储存于非挥发性储存单位之一行列中之第一资料;储存该第一资料于主资料暂存器中;储存第一资料于资料比较暂存器中;规划该第一资料于该行列中;及反应一控制信号:读出该行列中所储存之第一资料;储存所读出之第一资料于副资料暂存器中;及比较副资料暂存器及资料比较暂存器中所储存之资料,以验证该行列中之资料之正确规划。79.如申请专利范围第78项所述之方法,其中,该控制信号由记忆装置外部发出。80.如申请专利范围第78项所述之方法,其中,该控制信号由记忆装置内部产生。81.如申请专利范围第78项所述之方法,其中,该控制信号指定读出之条件。82.如申请专利范围第78项所述之方法,其中,该控制信号指定读出之参数。83.一种用以操作非挥发性记忆装置之方法,包括步骤:接收欲储存于非挥发性储存报位之一行列中之第一资料,逻辑组织为一或更多组,其中,每组储存单位储存多个可分别定址之主资料分区,且其中,第一资料包含多个资料分区;储存该第一资料于主资料暂存器中;储存第一资料之第一分区于资料比较暂存器中;规划该第一资料于该行列中;读出该行列中所储存之第一资料之一第二分区;储存所读出之第一资料之第二分区于副资料暂存器中;使用第一资料之第二分区之读出条件,读出该行列中所储存之第一资料之第一分区;储存第一资料之读出之第一分区于第二副资料暂存器中;及比较第二副资料暂存器及资料比较暂存器中所储存之资料,以验证该行列中之资料之正确规划。图式简单说明:图1显示典型之先行技艺EEPROM之方块图。图2显示先行技艺之典型快闪基础之储存副系统构造。图3显示先行技艺之二分区规划/验证操作之定时图。图4显示在先行技艺之规划/验证操作期间中发生之事件顺序。图5显示本发明之一实施例之半导体非挥发性记忆体之概要表示。图6显示本发明之实施例中之二分区规划/验证操作之定时图。图7显示在本发明之一实施例中之规划/验证操作期间中所发生之事件顺序。图8显示在本发明之一实施例中之规划/多验证操作期间中所发生之事件顺序。图9显示在本发明之另一实施例中之规划/多验证操作期间中所发生之事件顺序。图10显示在本发明之又另一实施例中之规划/多验证操作期间中所发生之事件顺序。图11及12为定时图,显示流线规划之使用。图13概要显示多状态记忆体中之记忆胞口及边际读出条件。图14显示另一读出条件之可能方式。图15显示由此等状态定址记忆胞之程序。图16为当由其状态定址记忆胞时,暂存器之使用于本发明实施例中之例。 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