| 主权项 |
1.一种包括一第一与一第二磁阻感测器之感测器配置,包括具有一主参考磁化轴之一主感测元」件,用以决定该主参考磁化轴与一磁场方向之间之一角度,其特征在于该主感测元件电连接至具有一第一参考磁化轴之一第一校正感测元件以及连接至具有一第二参考磁化轴之一第二校正感测元件,该第一与第二参考磁化轴系相对于该主参考轴以相反符号及介于5与85之间之校正角,以及其特征在于该第二感测器之主参考磁化轴系旋转该第一感测器之主感测元件之周期性输出信号之四分之一周期且每一个校正感测元件的校正角系1/8周期。2.如申请专利范围第1项之感测器配置,其特征为该第一和第二校正感测元件具有一电阻値,该电阻値本质上系该等主感测元件电阻値的1/√2倍。3.如申请专利范围第1项之感测器配置,包含与该第一和该第二校正感测元件具相同型式之额外的感测元件,该等额外的感测元件具有一参考磁化轴,该参考磁化轴系依照第一主感测器之周期性输出信号之实质n. 1/16之主参考磁化轴形成具相反符号的角度,其中n为整数。4.一种感测器配置,其包含四个如申请专利范围第1项所界定的磁阻感测器,系含括于惠斯登电桥架构中。5.一种制造如申请专利范围第1项之一感测器配置之方法,所有的感测元件均溅镀沈积在一单基板上,而且位于该第一与第二校正感测元件之该参考磁化轴与该主参考磁化轴之间之角度藉由图案化该溅镀物质而形成。6.如申请专利范围第5项之方法,其特征为介于主参考磁化轴与第一和第二校正感测元件之参考磁化轴之间的夹角系藉由局部且各别加热一偏移磁场中的第一和第二感测元件予以形成,该偏移磁场具有与校正角相同的方向,校正角系介于主参考磁化轴与第一校正感测元件和第二校正感测元件之参考磁化轴之间。7.如申请专利范围第6项之方法,其特征为该局部加热系藉由使一电流通过第一校正感测元件或第二校正感测元件予以完成。8.如申请专利范围第7项之方法,其特征为该加热系以一雷射予以完成。图式简单说明:图1表示一基于AMR效应以一磁阻感测器所感测的角度,该角度系为一所施加之低强度磁场方向之函数,上方曲线(虚线)表示一未经校正之角感测器之结果且下方曲线表示根据本发明之感测器之一具体实施例之结果。图2表示两交互旋转45之AMR惠斯登电桥架构与根据本发明具有校正构件之惠斯登电桥架构相比较的误差信号。图3说明根据本发明一感测器之AMR具体实施例。图4表示一AMR角感测器列置,其系根据本发明具体实施例应用于一惠斯登电桥架构。图5表示两交互旋转90之GMR急斯登电桥架构与根据本发明具有校正构件之惠斯登电桥架构相比较的误差信号。图6说明根据本发明一感测器之GMR具体实施例。图7表示一GMR角感测器列置,其系根据本发明具体实施例应用于一惠斯登电桥架构。图8表示角度误差,其系一GMR主感测元件在立即沉积之后、主感测元件在退火之后且一根据本发明之感测器具体实施例在退火之后作为一磁场强度的函数。 |
