| 主权项 |
1.一种电晶体结构之制造方法,其包括至少具不同集电极宽度(C1、C2)的第一及第二双极电晶体,包括:A)一半导体基材(1)被提供,B)至少该第一双极电晶体的第一埋藏层(5.1)及该第二双极电晶体的第二埋藏层(5.2)被引入该半导体基材(1),及C)制造至少具第一集电极宽度(C1)的第一集电极区域(2.1)于该第一埋藏层(5.1)及具第二集电极宽度(C2)的第二集电极区域(2.2)于该第二埋藏层(5.2),其中a)为制造该第二集电极宽度(C2),具第一厚度(C3)的第一集电极区(2.2.1)被制造于该第二埋藏层(5.2)及b)具第二厚度(C4)的第二集电极区(2.2.2)被制造于该第一集电极区(2.2.1),及c)至少一个绝缘区域(4)被制造,其至少使该集电极区域(2.1、2.2)彼此隔离。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中该第二集电极区域(2.2.2)被沉积。3.根据申请专利范围第2项的方法,其中该第二集电极区域(2.2.2)被磊晶地沉积。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中一绝缘层(2)系在该半导体基材(1)及该埋藏层(5.1、5.2)间被制造。5.根据申请专利范围第1至4项的其中一项之方法,其中该绝缘区域(4)系在浅沟隔离技术的协助下被制造。6.一种电晶体结构之制造方法,其包括至少具不同集电极宽度(C1、C2)的第一及第二双极电晶体,包括:A)一半导体基材(1)被提供,B)制造至少具第一集电极宽度(C1)的第一双极电晶体的第一集电极区域(2.1)及具第二集电极宽度(C2)的第二双极电晶体的第二集电极区域(2.2),其中a)至少该第一双极电晶体的第一导电率形式的第一埋藏层(5.1)的第一区(5.1.1)及该第二双极电晶体的第一或第二导电率形式的第二埋藏层(5.2)的第一区(5.2.1)被引入该半导体基材(1),b)第一磊晶层(9)被制造,其覆盖至少该第一区(5.1.1、5.2.1)的整个区域,c)至少该第一导电率形式的第二区(5.1.2)被产生于该第一磊晶层(9)内,相邻该第一埋藏层(5.1)的第一区(5.1.1)的第二区(5.1.2),d)第二磊晶层(10)被制造,其覆盖至少该第一磊晶层(9)及该第一埋藏层(5.1)的第二区(5.1.2)的整个区域,e)至少一个绝缘层(4)被制造,其至少使该集电极区域(2.1、2.2)彼此隔离,f)相邻该第一集电极区域(2.1)的第一埋藏层(5.1)的第二区(5.1.2)及相邻该第二集电极区域(2.2)的第二埋藏层(5.2)的第一区(5.2.1)。7.根据申请专利范围第6项之方法,其中该第二集电极区域(2.2.2)被沉积。8.根据申请专利范围第7项的方法,其中该第二集电极区域(2.2.2)被磊晶地沉积。9.根据申请专利范围第6项之方法,其中一绝缘层(2)系在该半导体基材(1)及该埋藏层(5.1、5.2)间被制造。10.根据申请专利范围第6至9项的其中一项之方法,其中该绝缘区域(4)系在浅沟隔离技术的协助下被制造。11.一种电晶体结构之制造方法,其包括至少具不同集电极宽度(C1、C2)的第一及第二双极电晶体,包括:A)一半导体基材(1)被提供,B)制造至少具第一集电极宽度(C1)的第一双极电晶体的第一集电极区域(2.1)及具第二集电极宽度(C2)的第二双极电晶体的第二集电极区域(2.2),其中a)至少该第一双极电晶体的第一导电率形式的第一埋藏层(5.1)的第一区(5.1.1)及该第二双极电晶体的第一或第二导电率形式的第二埋藏层(5.2)被引入该半导体基材(1),b)至少该第一双极电晶体的第一集电极区域(2.1.1)及该第二双极电晶体的第一集电极区域(2.2.1)被制造,相邻该第一区(5.1.1)的第一双极电晶体的第一集电极区(2.1.1)及相邻该第二埋藏层(5.2)的第二双极电晶体的第一集电极区域(2.2.1),(c)该第一集电极区(2.1.1)系以第一导电率形式形成,d)第二集电极区(2.2.2)系制造于该第二双极电晶体的第一集电极区(2.2.1)及第二集电极区(2.1.2)被制造于第一双极电晶体的该第一集电极区(2.1.1),及e)至少一个绝缘区域(4)被制造,其至少使该集电极区(2.x.y)彼此隔离。12.根据申请专利范围第11项之方法,其中该第二集电极区域(2.2.2)被沉积。13.根据申请专利范围第12项的方法,其中该第二集电极区域(2.2.2)被磊晶地沉积。14.根据申请专利范围第11项之方法,其中一绝缘层(2)系在该半导体基材(1)及该埋藏层(5.1、5.2)间被制造。15.根据申请专利范围第11至14项的其中一项之方法,其中该绝缘区域(4)系在浅沟隔离技术的协助下被制造。图式简单说明:第1A图至第1D图显示根据本发明第一种方法的概略截面视图以藉由选择性磊晶制造具不同集电极宽度的两个集电极区域之根据本发明电晶体结构。第2A图至第2E图显示根据本发明第二种方法的概略截面视图以藉由全面积磊晶制造具不同集电极宽度的两个集电极区域之电晶体结构。第3A图至第3C图显示根据本发明第三种方法的概略截面视图以制造具不同集电极宽度的两个集电极区域的电晶体结构。第4图显示替代结构的概略截面视图以制造具SOI结构的不同集电极宽度的两个集电极区域的电晶体结构。 |
