发明名称 涂层过程用之溅镀阴极
摘要 一种真空室(18)中涂层过程用之溅镀阴极(1),其具有至少一单件式之靶板(2),该靶板安装在一金属膜片(3)上,在该膜片(3)之远离靶板(2)之此侧上存在着一种冷却剂通道(其具有冷却剂用之流入管(9)和流出管(10))和一种至少一磁铁系统(5)用之中空区(7),其中该磁铁系统(5)配置在相对于该膜片(3)而密封之承载盆(6)中且未受到该冷却剂之作用,且其中整个配置是配置在一种承载构造(12)上。为了以简单、有效且成本有利之方式来改良由靶板(2)至冷却剂之热传送且防止冷却剂侵入至真空室(18)中所造成之危险性,则本发明之设计方式是:a)溅镀阴极(1)用之承载构造(12)具有一种中空体(13),其相对于该真空室(18)之内部空间以气密方式而封闭着且其使围绕该磁铁系统(5)所用之中空区(7)可与该真空室(18)外部之大气相连通,b)冷却剂通道形成其横切面周围上之封闭之导管(4),其具有至少一个平坦侧(4a),该平坦侧在导热性上是与该膜片(3)相连通,c)该膜片(3)和该导管(4)之远离该膜片(3)之表面经由上述之承载构造(12)而受到真空室(18)外部之大气压力。
申请公布号 TWI241352 申请公布日期 2005.10.11
申请号 TW093124602 申请日期 2004.08.17
申请人 应用薄膜两合股份有限公司 发明人 乔琴尤瑞屈;彼得梭尔
分类号 C23C14/34 主分类号 C23C14/34
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼;林荣琳 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项 1.一种真空室(18)中涂层过程用之溅镀阴极,其具有至少一单件式之靶板(2),该靶板安装在一金属膜片(3)上,在该膜片之远离靶板(2)之此侧上存在着一种冷却剂通道(其具有冷却剂用之流入管(9)和流出管(10))和一种至少一磁铁系统(5)用之中空区(7),其中该磁铁系统(5)配置在相对于该膜片(3)而密封之承载盆(6)中且未受到该冷却剂之作用,且其中整个配置是配置在一种承载构造(12)上,其特征为:a)溅镀阴极(1)用之承载构造(12)具有一种中空体(13),其相对于该真空室(18)之内部空间以气密方式而封闭着且其使围绕该磁铁系统(5)所用之中空区(7)可与该真空室(18)外部之大气相连通,b)冷却剂通道形成其横切面周围上之封闭之导管(4),其具有至少一个平坦侧(4a),该平坦侧在导热性上是与该膜片(3)相连通,c)该膜片(3)和该导管(4)之远离该膜片(3)之表面经由上述之承载构造(12)而受到真空室(18)外部之大气压力。2.如申请专利范围第1项之溅镀阴极,其中冷却液体用之导管(4)具有一种长方形之横切面,其一个长侧是与该膜片(3)导热地相连通。3.如申请专利范围第1项之溅镀阴极,其中冷却液体用之导管(4)藉由一接合过程而与膜片(3)相连接。4.如申请专利范围第1项之溅镀阴极,其中该承载构造(12)之中空体(13)固定至一固定板(19)上,该固定板(19)固定至真空室(18)之壁上,该真空室(18)在该固定板(19)之连接位置之内部具有一种针对环境大气之开口。5.如申请专利范围第4项之溅镀阴极,其中在该导管(4)之二个末端上连接着垂直之管支件(9a,10a),各管支件终止于弯头(15)中且各连接管由该处经由该承载构造(12)之中空体(13)延伸至环境大气中。6.如申请专利范围第1项之溅镀阴极,其中该溅镀阴极(1)之承载盆(6)经由一种在周围封闭之支撑体(11)而以密封方式来与该承载构造(12)之中空体(13)相连接。7.如申请专利范围第6项之溅镀阴极,其中该溅镀阴极(1)之承载盆(6)和靶板(2)用之支件由一种外壳(20)所围绕,该外壳藉由第一框架(20a)而由上方抓握靶板(2)之支件且藉由第二框架(20b)而由下方抓握该承载盆(6)直至该支持体(11)之附近为止。8.如申请专利范围第1项之溅镀阴极,其中该导管(4)在该溅镀阴极(1)之内部中大约在磁铁系统(5)之不同之极之间之中央延伸。图式简单说明:第1图 整个阴极系统之垂直切面,其在真空室(其具有一种垂直于阴极纵轴之切面)之一部份之内部中具有一种承载构造。第2图 经由阴极系统之一末端之垂直之纵切面之一部份,在该末端上连接着该冷却剂供应用之导管,当然是在无该承载构造时且已按比例放大。第3图 系针对第2图之该阴极系统之另一末端,该导管在该末端上作180度之转向。第4图 在取出该靶板之后该磁铁系统之俯视图,其比例尺已缩小。第5图 该阴极系统之一末端之俯视图。第6图 依据第2,3,5图之阴极系统之垂直之横切面。
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